[发明专利]基于贯穿波长的相似性的度量强健性

说明书

一种方法，包括通过使用衬底测量方案从衬底上目标获得测量结果；由硬件计算机系统根据测量结果确定参数，其中对于衬底测量方案中所使用的入射辐射，参数表征测量结果对于目标的光程长度的依赖性，以及确定参数包括确定测量结果对于入射辐射的波长的相对变化的依赖性；以及如果参数不在指定范围内，则调节衬底测量方案。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2016年5月17日提交的EP申请16169982.2的优先权，并且该申请在此通过全文引用的方式并入本文。

技术领域

本文的描述涉及光刻设备和工艺，并更特别地涉及一种用于检查或测量由光刻设备和工艺所制造的衬底的工具和方法。

背景技术

制造诸如半导体器件之类的器件一般包括使用许多图案化工艺和图案化设备处理衬底以形成各种特征和多个器件层。一般使用例如沉积、光刻、刻蚀、化学机械抛光、和离子注入而图案化这些层和特征。可以在衬底上多个裸片上图案化多个器件并随后分割成单个器件。图案化工艺可以包括使用图案化设备，诸如使用光刻设备，的光学和/或纳米压印光刻的图案化步骤以在衬底上提供图形，并且一般地但是并非可选地包括一个或多个相关图形处理步骤，诸如由显影设备对抗蚀剂显影，使用烘焙工具烘焙衬底，使用刻蚀设备使用图形而刻蚀等等。进一步，可以在图案化工艺中包括一个或多个度量工艺。

在图案化工艺期间各个步骤处使用度量工艺以监视并控制工艺。例如，使用度量工艺以测量衬底的一个或多个特征，诸如在图案化工艺期间形成在衬底上的特征的相对位置(例如配准、重叠、对准等)或尺寸(例如线宽、临界尺寸(CD)、厚度等)，以便例如，可以由一个或多个特征确定图案化工艺的性能。如果一个或多个特性是不可接受的(例如在对于特征的预定范围之外)，可以使用一个或多个特性的测量以改变图案化工艺的一个或多个参数以便由图案化工艺所制造的其他衬底具有可接受的特性。

光刻设备可以例如用在用于制造集成电路(IC)或其他器件的图案化工艺中。在该情形中，图案化装置(例如掩模)可以包含或提供与单个器件层相对应的电路图形(“设计版图”)，并且该电路图形可以通过诸如穿过图案化装置上电路图形照射目标部分而转移至在已经采用一层辐射敏感材料(“抗蚀剂”)所涂覆的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个裸片)上。一般地，单个衬底包含多个相邻目标部分，连续地由光刻设备将电路图形转移至该多个相邻目标部分，一次一个目标部分。在一种光刻设备中，一次性将整个图案化装置上的电路图形转移至一个目标部分上；该设备一般称作晶片步进机。在一般称作步进和扫描设备的备选设备中，投影束沿给定参考方向(“扫描”方向)在图案化装置之上扫描而同时同步地平行于或反平行于该参考反向移动衬底。将图案化装置上电路图形的不同部分逐渐地转移至一个目标部分。因此，一般地，光刻设备将具有减小的比率M(例如4)，衬底所移动的速度F将是投影束扫描图案化装置的速度乘以因子1/M。

在将电路图形从图案化装置转移至衬底之前，衬底可以经历各种工序，诸如涂底、抗蚀剂涂覆和软烘焙。在曝光之后，衬底可以经历其他工序，诸如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙和所转移电路图形的测量/检查。该工序的阵列用作制造器件例如IC的单个层的基础。衬底可以随后经历各种工艺诸如刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些设计用于完成器件的单个层。如果在器件中需要数个层，则对于每个层重复整个工序或者其变形。最终，器件将存在于衬底上每个目标部分中。随后通过诸如划片或锯切的技术将这些器件相互分离，由此单个器件可以安装在载板上、连接至引脚等。

发明内容

本文公开了一种方法，包括：通过使用衬底测量方案从衬底上的测量目标获得测量结果；由硬件计算机系统根据测量结果确定参数，其中对于根据衬底测量方案所使用的入射辐射参数表征测量结果对于目标的光程长度的依赖性，并且确定参数包括确定测量结果对于入射辐射的波长的相对变化的依赖性；以及如果参数不在特定范围内，则调节衬底测量方案。