[发明专利]辐射发射组件

权利要求书

1.一种辐射发射组件，包括：

辐射源，所述辐射源包括用于生成辐射的至少一个半导体层序列（220）；

安置在所述辐射源的下游的光波导器件（230、231、232）；和

布置在所述光波导器件（230、231、232）的下游的用于辐射转换的转换元件（240），

其中辐射能经由发射表面（225）从所述辐射源发射，并能耦合到所述光波导器件（230、231、232）中，

其中辐射能经由输入表面（241）从所述光波导器件（230、231、232）耦合到所述转换元件（240）中，

并且其中所述辐射源的所述发射表面（225）大于所述转换元件（240）的所述输入表面（241），

其中所述辐射发射组件包括至少一个辐射发射半导体芯片（210、211），

其中所述至少一个半导体芯片（210、211）被配置为表面发射半导体芯片，

其中所述至少一个半导体芯片（210、211）包括所述辐射源的至少一个半导体层序列（220），

其中以布置在所述至少一个半导体芯片（210、211）上的光波导器件（230、231、232）的形式配置所述光波导器件，

其中所述辐射发射组件还包括载体（270），在所述载体上布置了所述至少一个辐射发射半导体芯片（210、211），

其中所述辐射发射组件还包括热耦合到所述光波导器件（230、231、232）的用于散发来自所述光波导器件（230、231、232）的热量的散热元件（280），

其中所述散热元件（280）布置在所述载体（270）上横向紧邻所述至少一个辐射发射半导体芯片（210、211），

其中所述光波导器件（230、231、232）布置在所述散热元件（280）上，

并且其中在所述光波导器件（230、231、232）和所述散热元件（280）之间提供反射层（281），以避免在所述散热元件（280）处吸收辐射。

2.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

其中，所述转换元件（240）的所述输入表面（241）和所述辐射源的所述发射表面（225）的尺寸比为至多75％。

3.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

其中所述辐射源包括用于生成辐射的彼此相邻布置的多个半导体层序列（220），

其中所述多个半导体层序列（220）中每个半导体层序列的辐射能经由辐射表面（221）发射并且能耦合到所述光波导器件（230、231、232）中，

并且其中所述辐射源的所述发射表面（225）由所述多个半导体层序列（220）的所述辐射表面（221）组成。

4.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

其中所述辐射发射组件包括彼此相邻布置的多个表面发射半导体芯片（210、211），

其中所述多个表面发射半导体芯片（210、211）中的每个表面发射半导体芯片包括所述辐射源的半导体层序列（220），

并且其中所述光波导器件（230、231、232）布置在所述多个表面发射半导体芯片（210、211）上。

5.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

其中在紧邻所述转换元件（240）的区域中在所述光波导器件（230、231、232）的前侧布置反射材料（260）。

6.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

其中所述光波导器件（231、232）包括朝着所述转换元件（240）的方向逐渐变细的形状。

7.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

其中相对于所述转换元件（240）周向地布置反射材料（260）。

8.根据权利要求1所述的辐射发射组件，

包括塑料材料，所述塑料材料包括反射颗粒，所述塑料材料包围包括所述辐射源、所述光波导器件（230、231、232）和所述转换元件（240）的布置，其中所述转换元件（240）的前侧辐射表面（242）未被所述塑料材料覆盖。