[发明专利]辐射发射组件

说明书

本发明涉及一种辐射发射组件（101、201）。该组件具有辐射源，该辐射源具有用于产生辐射的至少一个半导体层序列（120、220）；布置在辐射源的下游的光导纤维器件（130、230）和布置在光导纤维器件的下游的用于转换辐射的转换元件（140、240）。来自辐射源的辐射可以经由发射区域（125、225）发射并投入到光导纤维器件（130、230）中。来自光导纤维器件（130、230）的辐射可以经由输入区域（141、241）被投入到转换元件（140、240）中。辐射源的发射区域（125、225）大于转换元件（140、240）的输入区域（141、241）。

技术领域

本发明涉及辐射发射组件。该组件包括用于生成辐射的至少一个半导体层序列和用于辐射转换的转换元件。

本专利申请要求德国专利申请10 2016 109 308.4的优先权，其公开内容通过引用并入于此。

背景技术

辐射发射组件可以包括半导体芯片和布置在该半导体芯片上的转换元件，该半导体芯片包括用于生成辐射的半导体层序列。可以借助于转换元件至少部分地转换由半导体芯片的半导体层序列生成的辐射。在穿过转换元件之后，可以从转换元件发射可以包括已转换和未转换的辐射部分的辐射。

取决于辐射发射组件的应用，一个要求可以在于实现具有高亮度的辐射发射。这可以通过半导体芯片的例如电流密度为3A/mm²的高电流操作来实现，这要预先假定半导体芯片的设计和组件的设计适合于该高电流操作。取决于边界条件，高电流方法可能是不合适的或不合需要的。

发明内容

本发明的目的在于说明一种改进的辐射发射组件。

该目的凭借根据本发明的辐射发射组件来实现。本发明的其他有利实施例在以下部分中予以说明。

根据本发明的一个方面，提出了一种辐射发射组件。所述组件包括辐射源，所述辐射源包括用于生成辐射的至少一个半导体层序列，安置在所述辐射源的下游的光波导器件，以及安置在所述光波导器件下游的用于辐射转换的转换元件。经由发射表面，辐射可以从所述辐射源发射并耦合到所述光波导器件中。经由输入表面，辐射可以从所述光波导器件耦合到所述转换元件中。所述辐射源的所述发射表面大于所述转换元件的所述输入表面。

在所述辐射发射组件的情况下，辐射源位于输入侧，而转换元件位于光波导器件的输出侧。光波导器件光学连接到辐射源的发射表面并且光学连接到转换元件的输入表面。在组件的操作期间，由辐射源生成的初级辐射可以经由其发射表面发射并且耦合到光波导器件中。借助于光波导器件，辐射可以被进一步引导到转换元件并且经由其输入表面而耦合到转换元件中。可以借助于转换元件至少部分地转换耦合进入的辐射。在穿过转换元件之后，可以从转换元件发射可以包括初级和次级（即未转换和已转换的）辐射部分的辐射。

布置在辐射源和转换元件之间的光波导器件提供了以高效率将辐射源生成的辐射引导到转换元件并将所述辐射引入转换元件中的可能性。由于辐射源的发射表面大于转换元件的输入表面，因此来自辐射源的辐射可以在该过程期间集中在转换元件上。因此，可以实现具有高亮度的来自转换元件的辐射发射。通过在转换元件中发生的辐射转换并且因此通过超越了光学扩展量的守恒，可以促进这种效果，该辐射转换可以包括在所有可能的空间方向上吸收初级辐射和再次发射次级辐射。因此，所提出的辐射发射组件的构造使得可以在不施加高电流条件的情况下提供高亮度。为了实现高亮度，可以以通常的电流密度来操作辐射发射组件。

下面更具体地描述可以考虑用于辐射发射组件的其他可能的细节和实施例。

辐射源的发射表面大于转换元件的输入表面的特征涉及相关表面的横向维度尺寸。这里忽略了扩大表面积的配置，诸如例如表面结构或表面粗糙度。