[发明专利]无碱玻璃基板、层叠基板和玻璃基板的制造方法

说明书

本发明提供一种磨削率高且在将硅基板与玻璃基板贴合的热处理工序中在所述硅基板产生的残留应变小的无碱玻璃基板。本发明的无碱玻璃基板以氧化物基准的摩尔百分比计含有11.0％以上的Al₂O₃、8.0％以上的B₂O₃、1％以上的SrO，且在100℃～200℃下的平均热膨胀系数α_100/200为3.10ppm/℃～3.70ppm/℃，杨氏模量为76.0GPa以下，密度为2.42g/cm³以上。

技术领域

本发明涉及无碱玻璃基板、层叠基板和玻璃基板的制造方法。

背景技术

芯片级封装(CSP)等的图像传感器已知有在硅基板上贴附玻璃基板进行保护的方式。例如，在专利文献1中公开了使基于热膨胀的伸长率接近与玻璃接合的硅基板的基于热膨胀的伸长率的硅底座用玻璃。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3153710号公报

发明内容

在半导体组装工序中，分别将晶片状态的硅基板和玻璃基板切断后，将硅基板和玻璃基板贴合，进行芯片接合、引线接合和模塑等一系列的组装工序。近年来，也提出了通过晶片级封装技术进行的组装，该晶片级封装技术是在晶片状态下将硅基板和玻璃基板贴合进行组装工序后进行切断。

为了将硅基板和玻璃基板贴合，要求板厚偏差(TTV)小、平坦性高的玻璃基板。但是，当前的玻璃成型技术难以得到期望的板厚偏差、平坦性，因此，需要将所成型的玻璃基板进行磨削而改善板厚偏差、平坦性。

图像传感器所使用的玻璃基板是在将通过浮法等制造的坯板外形加工成晶片状态后，通过用于除去晶片表层部的应变而将晶片的外形尺寸调整到标准内的磨削加工(磨削，lapping)工序以及除去晶片表层部的微裂纹、降低表面粗糙度的研磨加工(抛光，polishing)工序等进行加工。为了生产率良好地得到板厚偏差小、平坦性高的玻璃基板，要求磨削工序中的高的磨削率(磨削レート)。

另外，为了将硅基板和玻璃基板贴合，需要热处理工序。在热处理工序中，例如使在200℃～400℃的温度将硅基板和玻璃基板贴合而成的层叠基板降温至室温。此时，如果硅基板和玻璃基板的热膨胀系数存在差异，则成为因热膨胀量的差异而导致硅基板产生大的残留应变(残留变形)的原因。

进而，在晶片级封装技术中，由于以晶片状态将硅基板和玻璃基板贴合，因此，即使是以往并不是问题的热膨胀系数之差，也容易在硅基板产生残留应变。

在专利文献1中提出了一种硅底座用玻璃，其特征在于，玻璃的基于热膨胀的伸长率α₁跟与玻璃接合的硅基材的基于热膨胀的伸长率α₂的比率α₁/α₂为0.8～1.2的范围的值。但是，在专利文献1所公开的实施例的玻璃中，热膨胀系数与硅基板的一致性不充分，在晶片级封装技术中容易在硅基板发生残留应变。

因此，本发明提供磨削率高且在将硅基板和玻璃基板贴合的热处理工序中在硅基板产生的残留应变小的玻璃基板和玻璃基板的制造方法。另外，本发明提供使用该玻璃基板的层叠基板。另外，本发明提供玻璃基板、层叠基板或玻璃基板的制造方法，所述玻璃基板是用于半导体制造工艺用支撑基板和罩玻璃中的至少一者的玻璃基板，磨削率高、加工性优异。

本发明人等发现通过使玻璃的组成以及热膨胀系数、杨氏模量和密度等特性为特定范围，能够得到磨削率高且热膨胀系数与硅基板相匹配的玻璃基板，从而完成本发明。