[发明专利]具有集成静电放电抑制的流体回路

说明书

本发明揭示一种界定供流体从流体供应器(152)朝向过程阶段(156)的流径的流体回路(160)。所述流体回路可包含多个操作组件(168)，其包含主体部分(182)及多个导管连接器配件(186)。所述操作组件可由多个导管段(164)连接。每一主体部分可包含非导电氟聚合物部分及外导体(234)，所述外导体延伸于所述多个导管连接器配件中的每一者之间且与所述非导电氟聚合物部分成一体。所述多个导管段可包含非导电氟聚合物导管部分(187)及导电聚合物轴向带(188)。每一主体部分的所述外导体与连接到其的导管段导电地连接。所述连接器中的每一者可包含桥接组件(262)，所述桥接组件用于将所述主体部分的所述相应外导体导电地连接到所述连接导管段的所述导电聚合物带。

相关申请案

本文根据35 U.S.C.§119规定主张2016年6月1日申请的第62/344,171号美国临时专利申请案及2016年6月1日申请的第62/344,168号美国临时专利申请案的优先权权益。第62/344,171号美国临时专利申请案的揭示内容出于所有目的以全文引用的方式并入本文中。此申请案是关于2016年6月1日申请的标题为“导电过滤器装置(CONDUCTIVE FILTERDEVICE)”的第62/344,168号美国临时专利申请案的申请案，所述案由本申请案的所有人拥有且在与本申请案相同的日期申请，且所述案以全文引用的方式并入本文中，除其中所含的明确定义及专利权利要求书外。

技术领域

本发明的实施例涉及流体处置系统，且更特定来说，涉及具有静电放电抑制的超纯流体处置系统。

背景技术

提供高纯度标准的流体处置系统在先进技术应用中具有许多用途。这些应用包含太阳能面板、平板显示器的处理及制造且在半导体工业中用于例如光刻、散装化学品递送及化学机械抛光、湿蚀刻及清洁的应用。此外，用于这些应用中的某些化学品尤其具有腐蚀性，归因于流体处置组件的可能腐蚀及化学品到环境中的渗出而排除一些常规流体处置技术的使用。

为满足此类应用的抗腐蚀性及纯度要求，流体处置系统提供由惰性聚合物制成的导管、配件、阀及其它元件。这些惰性聚合物包含(但不限于)氟聚合物，例如聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烃(PFA)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)及氟化乙烯丙烯(FEP)。除提供非腐蚀性且惰性构造以外，许多氟聚合物(例如PFA)是可注射成型且可挤出的。由此类聚合物制成的若干类型的连接器配件是可购得且已知的，例如配件、配件、扩口配件及其它配件。由第5,154,453号；第6,409,222号；第6,412,832号；第6,601,879号；第6,758,104号及第6,776,440号美国专利说明实例配件，所述美国专利中的每一者以引用的方式并入本文中，除其中所含的明确定义及专利权利要求书外。

静电放电(ESD)是半导体工业及其它技术应用中的流体处置系统的另一已知问题。流体与流体系统中的各种操作组件(例如，管线、阀、配件、过滤器等)的表面之间的摩擦接触可导致静电荷的产生及积聚。电荷产生的程度取决于各种因素，包含(但不限于)组件及流体的性质、流体速度、流体黏性、流体导电性、到接地的路径、液体紊流及剪力、液体中的自由空气的存在及表面积。此外，随着流体流动通过系统，可在称为流动电荷的现象中的下游载送电荷，其中电荷可积聚超出电荷起源之处。充分电荷积累可在各种过程步骤处导致管壁、组件表面处的放电或甚至到衬底或晶片上的放电。

衬底是高度敏感的且此类放电可导致衬底的损坏或损毁。举例来说，衬底上的电路可能被破坏且光活性化合物可能在常规曝光之前活化。另外，积聚的静电荷可从流体处置系统内放电到外部环境，从而潜在地损坏管道中的组件(例如，导管、配件、容器、过滤器等)，且导致系统中的流体泄漏、溢出及组件的减弱性能。

在一些流体处置系统中，为减小静电荷的积聚，流体处置系统中的某些组件经构造及接地以随着静电从金属导电组件不断分散到接地而抑制系统中的静电积聚。