[发明专利]块交叉耦合的高密度功率供应去耦电容器有效

专利信息
申请号: 201780033575.5 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN109196642B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: A·库马尔;H·党;S·邓迪加尔;V·瓦迪 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/08;H01L27/092
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张曦
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 交叉 耦合 高密度 功率 供应 电容器
【权利要求书】:

1.一种金属氧化物半导体(MOS)器件,包括:

p-型MOS(pMOS)晶体管,具有pMOS晶体管栅极、pMOS晶体管源极、pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管体部,所述pMOS晶体管源极耦合到所述pMOS晶体管漏极和第一电压源;

n-型MOS(nMOS)晶体管,具有nMOS晶体管栅极、nMOS晶体管源极、nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管体部,所述nMOS晶体管源极耦合到所述nMOS晶体管漏极和小于所述第一电压源的第二电压源;

第一晶体管体部连接集合,与所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管相邻,所述第一晶体管体部连接集合将所述第一电压源耦合到所述pMOS晶体管体部,所述第一晶体管体部连接集合还将所述第二电压源耦合到所述nMOS晶体管体部;以及

第二晶体管体部连接集合,与所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管相邻,所述第二晶体管体部连接集合将所述nMOS晶体管栅极耦合到所述pMOS晶体管体部,所述第二晶体管体部连接集合还将所述pMOS晶体管栅极耦合到所述nMOS晶体管体部。

2.根据权利要求1所述的MOS器件,其中所述第二晶体管体部连接集合未连接到所述第一电压源和所述第二电压源。

3.根据权利要求1所述的MOS器件,其中所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管在所述第一晶体管体部连接集合与所述第二晶体管体部连接集合之间。

4.根据权利要求1所述的MOS器件,其中:

所述第一晶体管体部连接集合包括将所述第一电压源耦合到所述pMOS晶体管体部的第一pMOS体部连接、以及将所述第二电压源耦合到所述nMOS晶体管体部的第一nMOS体部连接;

所述第二晶体管体部连接集合包括将所述nMOS晶体管栅极耦合到所述pMOS晶体管体部的第二pMOS体部连接、以及将所述pMOS晶体管栅极耦合到所述nMOS晶体管体部的第二nMOS体部连接;

所述第一pMOS体部连接与所述第二pMOS体部连接之间的电阻大于第一电阻;并且

所述第一nMOS体部连接与所述第二nMOS体部连接之间的电阻大于第二电阻。

5.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第一电阻大于电阻阈值。

6.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第二电阻大于电阻阈值。

7.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第一pMOS体部连接与所述第二pMOS体部连接之间的距离大于距离阈值。

8.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第一nMOS体部连接与所述第二nMOS体部连接之间的距离大于距离阈值。

9.根据权利要求1所述的MOS器件,还包括:

第二pMOS晶体管,具有第二pMOS晶体管栅极、第二pMOS晶体管源极、第二pMOS晶体管漏极和第二pMOS晶体管体部,所述第二pMOS晶体管源极耦合到所述第二pMOS晶体管漏极和所述第一电压源;以及

第二nMOS晶体管,具有第二nMOS晶体管栅极、第二nMOS晶体管源极、第二nMOS晶体管漏极和第二nMOS晶体管体部,所述第二nMOS晶体管源极耦合到所述第二nMOS晶体管漏极和所述第二电压源,

其中所述第二晶体管体部连接集合在所述pMOS晶体管与所述第二pMOS晶体管之间,并且在所述nMOS晶体管与所述第二nMOS晶体管之间。

10.根据权利要求9所述的MOS器件,还包括与所述第二pMOS晶体管和所述第二nMOS晶体管相邻的第三晶体管体部连接集合,所述第三晶体管体部连接集合将所述第一电压源耦合到所述第二pMOS晶体管体部,所述第三晶体管体部连接集合还将所述第二电压源耦合到所述第二nMOS晶体管体部。

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