[发明专利]块交叉耦合的高密度功率供应去耦电容器有效
申请号: | 201780033575.5 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN109196642B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | A·库马尔;H·党;S·邓迪加尔;V·瓦迪 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/08;H01L27/092 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交叉 耦合 高密度 功率 供应 电容器 | ||
1.一种金属氧化物半导体(MOS)器件,包括:
p-型MOS(pMOS)晶体管,具有pMOS晶体管栅极、pMOS晶体管源极、pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管体部,所述pMOS晶体管源极耦合到所述pMOS晶体管漏极和第一电压源;
n-型MOS(nMOS)晶体管,具有nMOS晶体管栅极、nMOS晶体管源极、nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管体部,所述nMOS晶体管源极耦合到所述nMOS晶体管漏极和小于所述第一电压源的第二电压源;
第一晶体管体部连接集合,与所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管相邻,所述第一晶体管体部连接集合将所述第一电压源耦合到所述pMOS晶体管体部,所述第一晶体管体部连接集合还将所述第二电压源耦合到所述nMOS晶体管体部;以及
第二晶体管体部连接集合,与所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管相邻,所述第二晶体管体部连接集合将所述nMOS晶体管栅极耦合到所述pMOS晶体管体部,所述第二晶体管体部连接集合还将所述pMOS晶体管栅极耦合到所述nMOS晶体管体部。
2.根据权利要求1所述的MOS器件,其中所述第二晶体管体部连接集合未连接到所述第一电压源和所述第二电压源。
3.根据权利要求1所述的MOS器件,其中所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管在所述第一晶体管体部连接集合与所述第二晶体管体部连接集合之间。
4.根据权利要求1所述的MOS器件,其中:
所述第一晶体管体部连接集合包括将所述第一电压源耦合到所述pMOS晶体管体部的第一pMOS体部连接、以及将所述第二电压源耦合到所述nMOS晶体管体部的第一nMOS体部连接;
所述第二晶体管体部连接集合包括将所述nMOS晶体管栅极耦合到所述pMOS晶体管体部的第二pMOS体部连接、以及将所述pMOS晶体管栅极耦合到所述nMOS晶体管体部的第二nMOS体部连接;
所述第一pMOS体部连接与所述第二pMOS体部连接之间的电阻大于第一电阻;并且
所述第一nMOS体部连接与所述第二nMOS体部连接之间的电阻大于第二电阻。
5.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第一电阻大于电阻阈值。
6.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第二电阻大于电阻阈值。
7.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第一pMOS体部连接与所述第二pMOS体部连接之间的距离大于距离阈值。
8.根据权利要求4所述的MOS器件,其中所述第一nMOS体部连接与所述第二nMOS体部连接之间的距离大于距离阈值。
9.根据权利要求1所述的MOS器件,还包括:
第二pMOS晶体管,具有第二pMOS晶体管栅极、第二pMOS晶体管源极、第二pMOS晶体管漏极和第二pMOS晶体管体部,所述第二pMOS晶体管源极耦合到所述第二pMOS晶体管漏极和所述第一电压源;以及
第二nMOS晶体管,具有第二nMOS晶体管栅极、第二nMOS晶体管源极、第二nMOS晶体管漏极和第二nMOS晶体管体部,所述第二nMOS晶体管源极耦合到所述第二nMOS晶体管漏极和所述第二电压源,
其中所述第二晶体管体部连接集合在所述pMOS晶体管与所述第二pMOS晶体管之间,并且在所述nMOS晶体管与所述第二nMOS晶体管之间。
10.根据权利要求9所述的MOS器件,还包括与所述第二pMOS晶体管和所述第二nMOS晶体管相邻的第三晶体管体部连接集合,所述第三晶体管体部连接集合将所述第一电压源耦合到所述第二pMOS晶体管体部,所述第三晶体管体部连接集合还将所述第二电压源耦合到所述第二nMOS晶体管体部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的