[发明专利]存储器电路及形成垂直存储器单元串及导电通路的方法

权利要求书

1.一种在形成垂直存储器单元串及导电通路时使用的方法，其包括：

向下部材料中形成第一下部开口及第二下部开口；

在所述第一下部开口及所述第二下部开口内形成第一材料，其中所述第一材料为导电性的，并且形成所述第一材料包括：

在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的每一者中形成导电性容器，所述导电性容器具有相对侧壁及沿垂直横截面在所述相对侧壁之间延伸的基底；及

在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的每一者中的每一导电性容器内形成导电性填充材料，所述导电性填充材料具有与所述第一下部开口及所述第二下部开口中的每一者中的每一导电性容器的所述相对侧壁及所述基底的组合物不同的组合物；

在所述下部材料上方且在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的所述第一材料上方形成上部材料；

穿过所述上部材料形成通向所述第一下部开口中的所述第一材料的第一上部开口；

通过所述第一上部开口从所述第一下部开口移除至少大部分所述第一材料，且在所述第一下部开口及所述第一上部开口内为正形成的所述垂直存储器单元串形成沟道材料；

在形成所述沟道材料之后，穿过所述上部材料形成通向所述第二下部开口中的所述第一材料的第二上部开口；及

在所述第二上部开口内形成所述导电通路的导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述下部材料及所述上部材料的每一者包括不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除是从所述第一下部开口移除全部所述第一材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除是从所述第一下部开口移除少于全部所述第一材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括以下各项的组合：a)元素金属、元素金属的混合物或元素金属的合金中的至少一者；及b)导电性金属化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述第二上部开口内形成所述导电通路的所述导电材料包括：

在所述第二上部开口中形成另一导电性容器，所述另一导电性容器具有相对侧壁及沿所述垂直横截面在所述相对侧壁之间延伸的基底；及

在所述另一导电性容器内形成导电性填充材料，所述另一导电性容器内的所述导电性填充材料具有与所述另一导电性容器的所述相对侧壁及所述基底的组合物不同的组合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料为导电性的，且所述第二上部开口中形成的所述导电材料直接电耦合到所述第二下部开口中的所述第一材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述从所述第一下部开口移除所述第一材料期间，不从所述第二下部开口移除第一材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述从所述第一下部开口移除所述第一材料期间，在所述第二下部开口内的所述第一材料的顶部被所述上部材料完全覆盖。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述穿过所述上部材料形成通向所述第二下部开口中的所述第一材料的所述第二上部开口期间，在所述第一上部开口内的所述沟道材料的顶部被完全覆盖。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述沟道材料的所述顶部被具有与所述沟道材料的组合物不同的组合物的牺牲材料完全覆盖，在所述形成所述第二上部开口之后，从所述沟道材料的所述顶部上方移除所述牺牲材料。