[发明专利]等离子体蚀刻室和等离子体蚀刻的方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻室，包括：

- 真空容器（1）并在所述真空容器（1）内：

• 蚀刻隔室（3），具有中心轴（B）并且包括包围所述蚀刻隔室（3）的内部空间（IE）的周围壁（5）并且包括等离子体蚀刻室的蚀刻装备（6）；

• 泵送隔室（13），具有金属周围壁（15）并且具有在所述金属周围壁（15）中的馈通开口（21）；

• 金属分隔壁（23），其对于所述中心轴（B）横向并将所述蚀刻隔室（3）与所述泵送隔室（13）分开；

• 在所述金属分隔壁（23）中或沿着所述金属分隔壁（23）的至少一个泵送狭缝（35），其环绕在所述中心轴（B）周围并在所述蚀刻隔室（3）的所述内部空间（IE）和所述泵送隔室（13）的内部空间（IP）之间建立泵送流动连通；

• 所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）中的泵送端口（17）；

• 以所述中心轴（B）为中心的工件支撑（39），适于支撑暴露于所述蚀刻隔室（3）的所述内部空间（IE）的工件并以电隔离的方式安装在所述真空容器（1）中（42），所述工件支撑（39）沿着所述中心轴（B）向上在蚀刻位置中和向下远离所述蚀刻位置两者来驱动地可移动（F）；

• 通过所述馈通开口（21）的金属管状装置（19），朝向所述工件支撑（39）延伸，所述金属管状装置（19）包括机械地耦合到所述工件支撑（39）的第一部分（19a）和机械地耦合到所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）的第二部分（19b），所述第一部分（19a）和第二部分（19b）在所述中心轴（B）的方向上相对于彼此可移动（F），所述第二部分（19b）沿着所述馈通开口（21）的边缘导电地接合（22）到所述金属周围壁（15）；

• Rf馈线（41），通过并沿着所述金属管状装置（19），并且连接到所述工件支撑（39）；

其特征在于：

• 所述金属管状装置（19）的所述第一部分（19a）与直接电连接到等离子体蚀刻室的系统地连接器（45）的所述第一部分（19a）或所述第二部分（19b）电接触；

• 所述等离子体蚀刻室的所述系统地连接器（45）位于所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）的外部的所述金属管状装置（19）的所述第二部分（19b）的末端处，或者与所述金属分隔壁（23）相对的所述金属周围壁（15）处；

• 至少当所述工件支撑（39）在所述蚀刻位置中时，大量分布式金属连接器（49）建立从所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15），经由所述金属分隔壁（23），跨所述至少一个泵送狭缝（35）到所述金属管状装置（19）的所述第一部分（19a）的电接触。

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻室，所述金属连接器（49）包括板形连接器。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻室，所述金属连接器（49）包括具有相应管轴（C）的管状构件（69）。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻室，所述金属连接器（49）是刚性和弹性中的一个。

5.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻室，所述金属连接器（49）机械地安装在所述至少一个泵送狭缝（35）的一侧上。

6.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻室，所述蚀刻隔室（3）的所述内部空间（IE）具有在所述中心轴（B）的方向上考虑的圆形或多边形截面。

7.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻室，所述蚀刻隔室（3）包括环绕在所述中心轴（B）周围的金属滤网（80）并且至少掩蔽所述蚀刻隔室（3）的所述周围壁（5）的内表面的主要表面区域，所述金属滤网（80）包括底部边缘和顶部边缘，所述底部边缘比所述顶部边缘更靠近所述金属分隔壁（23），所述底部边缘经由大量金属滤网连接器（85）电连接到所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15），每个金属滤网连接器（85）机械地和电连接（87）到所述金属滤网（80）或到所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）或到所述金属分隔壁（23），所述金属滤网（80）是所述等离子体蚀刻室的维护更换部分。