[发明专利]等离子体蚀刻室和等离子体蚀刻的方法

说明书

一种等离子体蚀刻室，包括：真空容器（1）并在所述真空容器内：蚀刻隔室（3），具有中心轴（B）并且包括包围所述蚀刻隔室（3）的内部空间（IE）的周围壁（5）；具有金属周围壁（15）的泵送隔室（13），所述金属周围壁（15）具有馈通开口（21）；金属分隔壁（23），其对于所述中心轴（B）横向，将所述蚀刻隔室（3）与所述泵送隔室（13）分开；在所述金属分隔壁（23）中或沿着所述金属分隔壁（23）的至少一个泵送狭缝（35）；所述金属周围壁（15）中的泵送端口（17）；以所述中心轴（B）为中心的工件支撑（39），适于支撑暴露于所述内部空间（IE）的工件，其以电隔离的方式安装在所述真空容器（1）中（41）并且沿着所述中心轴（B）驱动地可移动（F）；通过所述馈通开口（17）的金属管状装置（19），包括机械耦合到所述工件支撑（39）的第一部分（19a）和机械耦合到所述金属周围壁（15）的第二部分（19b），所述第一部分（19a）和第二部分（19b）在所述中心轴（B）的方向上相对于彼此可移动（F），所述第二部分（19b）导电地接合（22）到所述金属周围壁（15）；Rf馈线（41），通过所述金属管状装置（19）而连接到所述工件支撑（39）；系统地连接器（45），在所述第二部分（19b）的末端处；大量分布式金属连接器（49），建立从所述金属周围壁（15），经由所述金属分隔壁（23）跨所述至少一个泵送狭缝（35）到所述金属管状构件（19）的所述第一部分（19a）的电接触。

背景技术

本发明特别地涉及等离子体蚀刻。在等离子体蚀刻中，重要的要求是从其中蚀刻工件的区域尽可能高效地去除蚀刻掉的材料。当用有机物钝化的蚀刻清洁基板如今在先进封装技术中使用时，或者更一般地，当蚀刻含聚合物的表面时，尤其如此。

发明内容

本发明的目的是改进等离子体蚀刻室的处理稳定性和效率。

根据本发明，这通过等离子体蚀刻室来实现，该等离子体蚀刻室相结合地包括真空容器和在真空容器内的蚀刻隔室，所述蚀刻隔室具有中心轴并且包括围绕蚀刻隔室的内部空间的周围壁。蚀刻隔室包括在其周围壁的内部和/或外部的所有蚀刻装备。

此类装备可以被修整（tailor）用于微波等离子体生成、平行板等离子体放电、电感耦合等离子体生成，并且可以包括用于工作气体、用于反应气体等的气体馈送。蚀刻隔室专门针对蚀刻效率而修整并且提供要被泵送的小体积，从而显著地有助于高效去除蚀刻掉的材料。

在等离子体蚀刻室内，还提供泵送隔室，该泵送隔室具有金属周围壁，以及在其中的馈通开口。此馈通开口可以以中心轴为中心来提供，但是也可以相对于所述的（addressed）中心轴偏心提供。泵送隔室专门被修整来容纳大的泵送端口。

对于中心轴横向的金属分隔壁将泵送隔室和蚀刻隔室分开。至少一个泵送狭缝被提供在金属分隔壁中或沿着金属分隔壁提供，并环绕在中心轴周围。它在蚀刻隔室的内部空间和泵送隔室的内部空间之间建立了泵送流动连通。

泵送端口提供在泵送隔室的金属周围壁中。

由于可以呈现相对小的待泵送体积的蚀刻隔室的内部空间的体积，可以对泵送的气体流呈现小的流动阻力的金属分隔壁中的环形泵送狭缝，具有可以被修整为大的泵送端口的泵送隔室，实现了蚀刻掉的材料的高效去除。

工件支撑以中心轴为中心，并适于支撑暴露于蚀刻隔室的内部空间的工件。工件支撑以电隔离的方式安装在真空容器中，并且沿着中心轴在蚀刻位置上向上和远离蚀刻位置向下两者来驱动地可移动。

通过馈通开口进一步提供金属管状装置。朝向工件支撑延伸的金属管状装置包括第一部分和第二部分，所述第一部分机械地耦合到工件支撑并且因此可移动，所述第二部分机械地耦合到泵送隔室的金属周围壁并因此不动（stationary）。因此，第一和第二部分在中心轴的方向上相对于彼此可移动。第二部分全部沿着馈通开口的边缘导电地接合到泵送隔室的金属周围壁。

提供了通过并沿着金属管状装置并且电连接到工件支撑的Rf馈线。因此，Rf馈线和金属管状装置实际上形成了到工件支撑的同轴Rf馈线。