[发明专利]电极结构、包括其的电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电极结构，包括：

透明电极；

设置在所述透明电极上的光阻挡图案；

设置在所述光阻挡图案上的辅助电极图案；以及

覆盖所述光阻挡图案和所述辅助电极图案的有机绝缘图案，

其中所述光阻挡图案的线宽大于所述辅助电极图案的线宽，

其中所述有机绝缘图案的线宽比所述光阻挡图案的线宽大0.5μm或更多且2μm或更少，

其中所述辅助电极图案的厚度为100nm或更大且2μm或更小，

其中所述光阻挡图案的线宽比所述辅助电极图案的线宽大0.5μm或更多且10μm或更少，

其中所述光阻挡图案的厚度为100nm或更小，

其中所述有机绝缘图案的与所述光阻挡图案和所述辅助电极图案接触的表面的相对表面是弯曲表面。

2.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述光阻挡图案具有导电性。

3.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述光阻挡图案和所述辅助电极图案包含不同的金属。

4.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述光阻挡图案和所述辅助电极图案彼此不同，并且独立地包含铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)及其合金。

5.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述有机绝缘图案包含基于聚酰亚胺的聚合物。

6.根据权利要求1所述的电极结构，其中所述光阻挡图案具有100nm或更小的厚度，并且具有导电性，

所述光阻挡图案和所述辅助电极图案彼此不同，并且独立地包含铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)及其合金，以及

所述有机绝缘图案包含基于聚酰亚胺的聚合物且具有比所述光阻挡图案的线宽更大的线宽，并且所述有机绝缘图案的与所述光阻挡图案和所述辅助电极图案接触的表面的相对表面是弯曲表面。

7.一种电子器件，包括根据权利要求1至6中任一项所述的电极结构。

8.一种制造根据权利要求1至6中任一项所述的电极结构的方法，所述方法包括：

形成电极结构，其中在透明电极上顺序地设置光阻挡图案、辅助电极图案和有机绝缘图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电极结构的形成包括：

S1)在所述透明电极上形成所述光阻挡图案和所述辅助电极图案；以及

S2)形成覆盖所述光阻挡图案和所述辅助电极图案的有机绝缘图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中操作S1)包括：

S1-1)在所述透明电极上形成光阻挡层；

S1-2)在所述光阻挡层上形成辅助电极层；

S1-3)在所述辅助电极层上形成蚀刻保护图案；以及

S1-4)通过经由一次或更多次的蚀刻过程除去所述光阻挡层和所述辅助电极层的其中没有形成所述蚀刻保护图案的部分，形成所述光阻挡图案和所述辅助电极图案。

11.根据权利要求10所述的方法，其中操作S1-4)是这样的操作：通过经由用共用蚀刻剂进行一次蚀刻过程除去所述光阻挡层和所述辅助电极层的其中没有形成所述蚀刻保护图案的部分，形成所述光阻挡图案和所述辅助电极图案，以及

由于所述光阻挡层和所述辅助电极层相对于所述共用蚀刻剂的蚀刻速度不同，所述光阻挡图案的线宽大于所述辅助电极图案的线宽。