[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法

说明书

一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；能够上下移动的载物台(14)，其设置在成膜容器(11)内，并保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并通过与载物台(14)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)和进行基板(100)的搬送的搬送空间；周边部载物台防附着材料(15)，其覆盖载物台(14)的周边部；载物台停止器防附着材料(24)，其设置在载物台停止器(17)上。

技术领域

本发明涉及一种例如在基板上形成薄膜的原子层生长装置及原子层生长方法。

背景技术

原子层生长技术是将构成所形成的薄膜的元素的气体交替地供给至基板上，在基板上以原子层为单位而形成薄膜的技术，其作为均匀的形成薄膜的技术而广为人知。另外，与CVD(Chemical-Vapor-Deposition，化学气相沉积)法相比，原子层生长方法的高低差的覆盖性及膜厚控制性优异。

若通过原子层生长方法来反复的进行薄膜的形成，则成膜容器的内壁也会附着薄膜。而若附着在成膜容器的内壁上的薄膜的厚度变厚，则堆积的薄膜会剥离，而其中的一部分成为颗粒(Particle)。因此，必须将附着在成膜容器的内壁上的薄膜定期的去除。

例如日本特开2006-351655号公报(专利文献1)中披露了一种处理方法及气相生长装置，使用防附着板，并且用非晶质膜将堆积在腔室的内壁上的堆积物覆盖住。

另外，例如日本特开2009-62579号公报(专利文献2)中披露了在成膜容器内插入防附着板来延长湿蚀刻的周期的内容。

另外，例如日本特开2012-52221号公报(专利文献3)中披露了设置防附着板并供给非活性气体来控制附着膜的内容。

另外，例如日本特开2001-316797号公报(专利文献4)中披露了如下内容：在成膜装置中，将防附着构件安装在基板载体上，防止膜附着在基板载体的表面上。

另外，例如日本特开2014-133927号公报(专利文献5)中披露了如下内容：在等离子体处理装置中，在处理室内设置防附着板，防止绝缘物附着在基板上以外的部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-351655号公报

专利文献2：日本特开2009-62579号公报

专利文献3：日本特开2012-52221号公报

专利文献4：日本特开2001-316797号公报

专利文献5：日本特开2014-133927号公报

发明内容

发明要解决的问题

在利用原子层生长方法进行的成膜中，因为所使用的原料气体(例如TMA：Tri-Methyl-Aluminum，三甲基铝)容易扩散，因此容易侵入到成膜容器内的微细间隙中而形成膜。例如，在成膜室及搬送室由载物台停止器(Stage Stopper)与载物台(Stage)来划分的原子层生长装置中，在上述划分部分产生间隙，而容易成为颗粒产生部位。也就是说，侵入到这样的微细间隙中的原料气体成为膜及粉，而成为颗粒的主因。

特别是，在与大型的玻璃基板对应的大面积型式的原子层生长装置中，基板越大则载物台也越大，而载物台越大则载物台的平整度也随之越下降。其结果是，在上述划分部分的间隙增大，颗粒的产生更加显著。

其他的问题与新的特征能够从本说明书的记载及所附附图来明确。

用于解决问题的手段