[发明专利]富集硅的新复合材料、其生产方法以及所述材料作为电极的用途

权利要求书

1.一种具有式(I-M)的富集化学活性Si的复合材料：

(1-z)M+zSi (I-M)

其中，M是基于Ti和Ni以及选自Si和/或Sn的至少一种元素的分散复合基质；

并且，0<z≤0.70。

2.根据权利要求1所述的富集复合材料(I-M)，其中，所述分散复合基质M选自以下基质：

a.具有式M1的基于Ni、Ti和Sn的分散复合基质：

Ni_xTi_ySn_1-(x+y) (M1)

其中，0.20≤x≤0.30；0.20≤y≤0.30；

b.具有式M2的基于Ni、Ti和Si的分散复合基质：

Ni_x’Ti_y’Si_{1-(x’+y’)} (M2)

其中，0.20≤x’≤0.30；0.20≤y’≤0.30；和

c.由如上述a和b中限定的基质M1和M2根据式：M3＝aM1+(1-a)M2构成的混合的分散复合基质M3，

其中，0<a<1。

3.根据权利要求1或2所述的富集复合材料(I-M)，其中，所述分散复合基质是基质M1，所述富集复合材料对应于式(I-M1)：

(1-z)M1+zSi (I-M1)

其中，z如权利要求1中所限定。

4.根据权利要求1、2或3所述的富集复合材料，所述富集复合材料具有式(I-M1)：

Ni_x(1-z)Ti_y(1-z)Sn_(1-z)(1-x-y)Si_z (I-M1)

其中，0.20≤x≤0.30；0.20≤y≤0.30；0<z≤0.70。

5.根据权利要求1或2所述的富集复合材料，其中，所述分散复合基质是基质M2，所述富集复合材料对应于式(I-M2)：

(1-z’)M2+z’Si (I-M2)

其中，z’等于z，如权利要求1中所限定。

6.根据权利要求1、2或5所述的富集复合材料，所述富集复合材料具有式(I-M2)：

Ni_x’(1-z’)Ti_y’(1-z’)Si_{1-(x’+y’)(1-z’)} (I-M2)

其中，0.20≤x’≤0.30；0.20≤y’≤0.30；0<z’≤0.70。

7.根据权利要求1或2所述的富集复合材料，其中，所述分散复合基质是基质M3，所述富集复合材料对应于式(I-M3)：

(1-z”)M3+z”Si (I-M3)

其中，z”等于z，如权利要求1中所限定。

8.根据权利要求1、2或7所述的富集复合材料，所述富集复合材料具有式(I-M3)：

Ni_{[x’+a(x-x’)](1-z”)}Ti_[y’+a(y_{-y’)](1-z”)}Sn_{a(1-x-y)(1-z”)}Si_{(1-a)(1-x’-y’)(1-z”)+z”} (I-M3)

其中，0.20≤x≤0.30；0.20≤x’≤0.30；0<a<1；0.20≤y≤0.30；0.20≤y’≤0.30；0<z”≤0.70。

9.一种经钝化的富集复合材料(I-M)，所述经钝化的富集复合材料(I-M)包含根据权利要求1～8中任一项中所述的具有式(I-M)的富集复合材料和表面钝化层。

10.根据权利要求9所述的经钝化的富集复合材料(I-M)，其中，所述钝化层是基于磷酸盐的。