[发明专利]半导体激光二极管有效
| 申请号： | 201780036897.5 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN109314369B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·雷耶 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
1.一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有：
-半导体本体(2)，所述半导体本体包括发射区域(5)；和
-第一联接元件(3)，所述第一联接元件在所述发射区域(5)中电接触所述半导体本体(2)，其中
-所述半导体本体(2)在所述发射区域(5)中与所述第一联接元件(3)接触；和
-所述半导体本体(2)在所述发射区域(5)中至少局部地具有结构化部(26)，所述结构化部扩大在所述半导体本体(2)和所述第一联接元件(3)之间的接触面(28)，并且其中
-所述半导体本体(2)包括联接区域，所述联接区域是高p掺杂的层并且在所述接触面处直接邻接于所述第一联接元件，或者
-所述结构化部(26)具有结构(26a)的密度，其中所述结构的密度朝辐射出射面(7)增加。
2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中
-所述结构化部(26)具有结构(26a)的密度，其中所述结构的密度朝辐射出射面(7)增加，
-所述半导体本体(2)包括副区域(6)，所述副区域相对于所述发射区域(5)横向相邻地设置，其中
-所述半导体本体(2)在所述副区域(6)中至少局部地具有另一结构化部(27)，所述另一结构化部具有另外的结构(27a)，其中所述另一结构化部(27)构成用于减弱副模式，并且
-所述结构化部(26)的所述结构(26a)具有平均高度(h)，所述平均高度小于所述另一结构化部(27)的所述另外的结构(27a)的平均高度(h)。
3.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，
其中所述结构化部(26)具有结构(26a)的密度，其中所述结构的密度朝辐射出射面(7)增加。
4.根据权利要求2或3所述的半导体激光二极管，
其中所述结构(26a)在所述辐射出射面(7)上设置得越近，相邻的结构(26a)之间的间距(d)就越小。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管，
其中在所述半导体本体(2)和所述第一联接元件(3)之间的、具有结构化部(26)的所述接触面(28)至少局部地为在所述半导体本体(2)和所述第一联接元件(3)之间的没有任何结构化部的接触区域的至少1.5倍大。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管，
其中所述第一联接元件(3)包括金属性的层，所述金属性的层在所述发射区域(5)中完全地覆盖所述半导体本体(2)。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管，
其中所述结构化部(26)至少局部地包括如下结构(26)中的至少一个：截锥、倒截锥、截棱锥、倒截棱锥、锥、倒锥、棱锥、倒棱锥、球壳、倒球壳。
8.根据权利要求2或3所述的半导体激光二极管，
其中所述结构(26a)的最大横向延伸为至少400nm。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光二极管，
其中所述半导体本体(2)在所述发射区域(5)中包括联接区域(24)，所述联接区域在所述接触面(28)处直接邻接于所述第一联接元件(3)，其中所述联接区域(24)在任何部位处都不被完全穿过。
10.根据权利要求2或3所述的半导体激光二极管，
其中所述半导体本体(2)包括副区域(6)，所述副区域与所述发射区域(5)横向相邻地设置，其中所述半导体本体(2)在所述副区域(6)中至少局部地具有另一结构化部(27)，所述另一结构化部具有另外的结构(27a)，其中所述另一结构化部(27)构成用于减弱副模式。
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