[发明专利]半导体激光二极管

说明书

提出一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有：‑半导体本体(2)，所述半导体本体包括发射区域(5)；和‑第一联接元件(3)，所述第一联接元件在发射区域(5)中电接触半导体本体(2)，其中‑半导体本体(2)在发射区域(5)中与第一联接元件(3)接触；和‑半导体本体(2)在发射区域(5)中至少局部地具有结构化部(26)，所述结构化部扩大半导体本体(2)和第一联接元件(3)之间的接触面(28)。

技术领域

提出一种半导体激光二极管。

背景技术

文献WO 2013/079346 A1描述一种半导体激光二极管。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种半导体激光二极管，借助所述半导体激光二极管能够产生激光辐射，所述激光辐射具有减小的射束分散度。另一要实现的目的在于：提出一种半导体激光二极管，借助所述半导体激光二极管能够尤其有效地产生激光辐射。

根据至少一个实施方式，半导体激光二极管包括具有发射区域的半导体本体。

半导体激光二极管的半导体本体例如借助III/V族化合物半导体材料或II/VI族化合物半导体材料形成。半导体本体例如能够外延地生长到衬底上。

在半导体本体的发射区域中，在半导体激光二极管运行时产生激光辐射。发射区域例如在半导体激光二极管的长度的大部分之上延伸并且包括半导体本体的有源区域。有源区域例如包括pn结、双异质结构、单量子阱结构和/或多量子阱结构。半导体激光二极管能够具有一个或多个发射区域。尤其可行的是：半导体激光二极管具有两个或更多个发射区域，尤其例如刚好五个发射区域，所述发射区域在垂直于发射区域的主延伸方向的横向方向上间隔开地并且彼此平行地设置。横向方向为如下方向，所述方向平行于半导体激光二极管的主延伸平面以及半导体本体的主延伸平面伸展。

在发射区域中，半导体本体能够在垂直于横向方向伸展的竖直方向上比在发射区域之外更厚地构成。于是，发射区域例如构成为半导体本体的接片形的结构。尤其可行的是：半导体本体在一侧上、例如在其p型传导的侧上在发射区域中导电地接触，相反所述半导体本体在相同的侧上在发射区域之外不导电地接触。

根据半导体激光二极管的至少一个实施方式，半导体激光二极管包括第一联接元件，所述第一联接元件在发射区域中电接触半导体本体。第一联接元件例如为金属性的层或金属性的层序列，所述层或层序列例如在发射区域中能够直接地或间接地邻接于半导体本体。在此，第一联接元件能够大部分地或完全地覆盖半导体本体的主面，其中尤其仅在发射区域中存在第一联接元件和发射区域之间的电接触。

根据半导体激光二极管的至少一个实施方式，半导体本体在发射区域中与第一联接元件接触。在此尤其可行的是：半导体本体在发射区域中与第一联接元件直接接触。此外，可行的是：半导体本体仅在发射区域中与第一联接元件直接接触，并且在发射区域之外在半导体本体和联接元件之间不存在直接接触。

根据半导体激光二极管的至少一个实施方式，半导体本体在发射区域中至少局部地具有结构化部，所述结构化部扩大半导体本体和第一联接元件之间的接触面。换言之，半导体本体在发射区域中在其朝向第一联接元件的一侧上非平坦且平面地构成，而是具有结构化部，使得相对于未结构化的半导体本体扩大接触面，在所述接触面中半导体本体和第一联接元件直接彼此接触。在此，结构化部能够具有多个结构，所述结构例如通过半导体本体中的隆起部和/或下沉部形成。

根据至少一个实施方式，提出一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有：

-半导体本体，所述半导体本体包括发射区域；和

-第一联接元件，所述第一联接元件在发射区域中电接触半导体本体，其中

-半导体本体在发射区域中与第一联接元件接触；和