[发明专利]有机电子元件的制造方法及功能层的制造方法有效
申请号: | 201780037336.7 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN109315044B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 吉冈秀益 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电子元件 制造 方法 功能 | ||
1.一种有机电子元件的制造方法,该有机电子元件的制造方法具备:
涂布膜形成工序,将具有给定功能的功能层用的涂布液涂布于塑料基板而形成涂布膜;以及
加热工序,在红外线加热炉内向所述涂布膜照射红外线而使所述涂布膜加热固化,由此形成所述功能层,
所述加热工序中,通过在将所述红外线加热炉所具有、且在所述塑料基板的周围与所述塑料基板分离地配置的构件冷却到100℃以下而将所述红外线加热炉的炉壁的一部分冷却的同时,将所述涂布膜用所述红外线加热固化。
2.根据权利要求1所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述涂布液包含具有交联性基团的材料,
所述加热工序中,利用所述红外线使所述交联性基团交联,由此将所述涂布膜加热固化。
3.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
在将所述炉壁中的所述塑料基板的厚度方向上的上侧及下侧的区域冷却到100℃以下的同时,将所述涂布膜用所述红外线加热固化。
4.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述加热工序中,在所述红外线加热炉内,在运送所述塑料基板的同时向所述涂布膜照射所述红外线,
在将所述炉壁中的以隧道状包围所述塑料基板的运送路径的区域冷却到100℃以下的同时,将所述涂布膜用所述红外线加热固化。
5.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述红外线加热炉在所述红外线加热炉的炉壁与所述塑料基板之间具有至少一个冷却构件,
在将所述冷却构件与所述红外线加热炉的炉壁的一部分一起冷却到100℃以下的同时,将所述涂布膜用所述红外线加热固化。
6.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述红外线加热炉具有配置于所述红外线加热炉的炉壁与所述塑料基板之间的冷却构件,
在将所述冷却构件冷却到100℃以下的同时,将所述涂布膜用所述红外线加热固化。
7.根据权利要求6所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述红外线加热炉具有在所述塑料基板的厚度方向上分别配置于上侧及下侧的所述冷却构件。
8.根据权利要求6所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述加热工序中,在所述红外线加热炉内,在运送所述塑料基板的同时向所述涂布膜照射所述红外线,
所述冷却构件以包围所述塑料基板的运送路径的方式以隧道状形成。
9.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
射入所述塑料基板的所述红外线中波长范围5.0μm~10.0μm的红外线的量为波长范围1.2μm~5.0μm的红外线的量的三分之一以下。
10.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
在冷却到100℃以下的所述构件中,波长范围5.0μm~10.0μm的红外线的平均吸收率为80%以上。
11.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述加热工序中,向所述塑料基板或所述涂布膜的任意一方吹送非活性气体。
12.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述塑料基板呈带状,并且具有挠曲性,
所述塑料基板的长边方向的长度为短边方向的长度的10倍以上。
13.一种功能层的制造方法,该制造方法具备:
涂布膜形成工序,将具有给定功能的功能层用的涂布液涂布于塑料基板而形成涂布膜;以及
加热工序,在红外线加热炉内向所述涂布膜照射红外线而使所述涂布膜加热固化,由此形成所述功能层,
所述加热工序中,通过在将所述红外线加热炉所具有、且在所述塑料基板的周围与所述塑料基板分离地配置的构件冷却到100℃以下而将所述红外线加热炉的炉壁的一部分冷却的同时,将所述涂布膜用所述红外线加热固化。
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