[发明专利]传感器封装件和制造传感器封装件的方法

说明书

传感器封装件包括具有电导体(13)、ASIC器件(6)和集成在ASIC器件(6)中的传感器元件(7)的载体(1)。虚设管芯或内插器(4)布置在载体(1)和ASIC器件(6)之间。虚设管芯或内插器(4)固定到载体(1)，并且ASIC器件(6)固定到虚设管芯或内插器(4)。

技术领域

本发明涉及一种传感器封装件以及用于制造传感器封装件的方法。

背景技术

许多集成的传感器装置，例如压力传感器、霍尔传感器、陀螺仪或惯性传感器，通常非常容易受到压力的影响，压力会使性能恶化甚至损坏脆弱的传感器结构。对于需要直接接触环境的压力传感器来说，这个问题更加严重。

WO 2002/048668 A2公开了一种集成的CMOS电容式压力传感器。

US 2014/0090485 A1公开了一种MEMS压力传感器组件，其包括第一管芯组件和第二管芯组件，所述第一管芯组件包括MEMS压力传感器，所述第二管芯组件包括ASIC，该ASIC被构造成产生与由MEMS压力传感器感测的压力相对应的电输出。导电构件定位在第一管芯组件和第二管芯组件之间，并且将MEMS压力传感器和ASIC进行电连接。

发明内容

本发明的目的是公开一种紧凑的传感器封装件，该封装件适于使传感器与外部压力机械去耦，并公开了一种制造这种传感器封装件的方法。

该目的通过根据权利要求1的传感器封装件和通过根据权利要求12的制造传感器封装件的方法来实现。实施例和变型源自从属权利要求。

传感器封装件包括载体和具有集成传感器元件的ASIC器件，该载体包括电导体。虚设管芯或内插器布置在载体和ASIC器件之间并固定到载体上。特别地，该虚设管芯或内插器可以包括电惰性半导体衬底，或者它可以包括绝缘体，尤其是玻璃。ASIC器件固定到虚设管芯或内插器。

在传感器封装件的实施例中，包括硅树脂的粘合剂层布置在虚设管芯或内插器与ASIC器件之间。特别地，粘合剂层可以为至少80μm厚。

另一实施例包括具有开口的罩。虚设管芯或内插器和ASIC器件布置在载体和罩之间。

在另一实施例中，传感器元件是压力传感器。

在另一实施例中，传感器元件对压力敏感。

在另一实施例中，虚设管芯或内插器具有比ASIC器件更小的横向尺寸。

在另一实施例中，ASIC器件至少在一侧上横向悬伸出虚设管芯或内插器至少100μm。

另一实施例包括键合层，该键合层包括管芯附着箔并且布置在载体和虚设管芯或内插器之间。

制造传感器封装件的方法包括：提供具有电导体的载体，将虚设管芯或内插器固定在载体上，提供包括集成传感器元件的ASIC器件，以及将ASIC器件固定到虚设管芯或内插器。

在该方法的变型中，ASIC器件通过粘合剂层固定到虚设管芯或内插器，该粘合剂层尤其可以包括硅树脂。特别地，粘合剂层可以形成为至少80μm厚。

在该方法的另一变型中，虚设管芯或内插器(4)通过包括管芯附着箔的键合层固定到载体。

附图说明

以下结合附图对传感器封装件和制造方法的示例做详细描述。

图1示出了包括虚设管芯或内插器的传感器封装件的横截面。

图2示出了包括虚设管芯或内插器和悬伸的ASIC器件的另一传感器封装件的横截面。

图3示出了包括虚设管芯或内插器和具有更大悬伸部分的ASIC器件的另一传感器封装件的横截面。

图4示出了与图2中的示意图相对应的顶视图。