[发明专利]用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒

权利要求书

1.一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：

-制造多个并排设置的发射器(1，2)，其中所述发射器(1，2)分别具有带有适合于产生激光辐射的有源层(14)的半导体层序列(11)、在所述激光二极管棒(10)的第一主面(17)上的p接触部(16)和在所述激光二极管棒(10)的与所述第一主面(17)相对置的第二主面(18)上的n接触部(12)，其中所述发射器(1，2)的p接触部(16)分别与p联接层(5)连接，并且在所述第二主面(18)上具有露出的p联接面(6)，其中所述p联接层

(i)从所述第一主面(17)穿过在所述半导体层序列(11)中的穿通部(7)引导至所述第二主面(18)，或者

(ii)从所述第一主面(17)经由所述激光二极管棒(10)的侧棱面(19)引导至所述第二主面(18)，

-检查所述发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中将所述光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且将所述至少一个光学和/或电学特性处于所述预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组，以及

-电接触所述第一发射器(1)，其中不电接触所述第二发射器(2)，使得在所述激光二极管棒(10)运行时不对所述第二发射器供给电流，其中所述第二发射器(2)包括有故障的发射器，所述有故障的发射器具有缺陷或仅不足地贡献于发射辐射。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述n接触部(12)与n联接层(3)连接，所述n联接层设置在所述第二主面(18)上并且构成n联接面(4)，并且其中所述n联接面构成为用于所述激光二极管棒(10)的所有发射器(1，2)的共同的联接面。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中所述激光二极管棒(10)在所述第一主面(17)上借助于连接层(24)安装到载体(21)上，

以及所述p接触部(16)借助于p联接层(5)与所述连接层(24)导电地连接，并且其中所述连接层(24)在所述载体(21)上具有p联接面(6)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中电接触所述第一发射器(1)包括：对所述第一发射器(1)的p联接面(6)分别设有馈电线。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中不对所述第二发射器(2)的p联接面(6)设有馈电线。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体层序列(11)具有氮化物化合物半导体材料。

7.一种激光二极管棒，所述激光二极管棒包括多个并排设置的发射器(1，2)，其中所述发射器(1，2)分别具有带有适合于产生激光辐射的有源层(14)的半导体层序列(11)、在所述激光二极管棒(10)的第一主面(17)上的p接触部(16)和在所述激光二极管棒(10)的与所述第一主面(17)相对置的第二主面(18)上的n接触部(12)，其中所述发射器(1，2)的p接触部(16)分别与p联接层(5)连接，并且在所述第二主面(18)上具有露出的p联接面(6)，其中所述p联接层

(i)从所述第一主面(17)穿过在所述半导体层序列(11)中的穿通部(7)引导至所述第二主面(18)，或者

(ii)从所述第一主面(17)经由所述激光二极管棒(10)的侧棱面(19)引导至所述第二主面(18)，

其中所述激光二极管棒(10)包括第一发射器(1)的组，所述第一发射器被电接触，和包括第二发射器(2)的组，所述第二发射器未被电接触，其中所述第二发射器(2)包括有故障的发射器，所述有故障的发射器具有缺陷或仅不足地贡献于发射辐射。

8.根据权利要求7所述的激光二极管棒，

其中所述n接触部(12)与n联接层(3)连接，所述n联接层设置在所述第二主面(18)上并且具有n联接面(4)。