[发明专利]用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒

说明书

描述一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：制造多个并排设置的发射器(1，2)；检查发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且至少一个光学和/或电学特性在预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组；以及电接触第一发射器(1)，其中第二发射器(2)未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒(10)运行时不被供给电流。此外，提出一种可利用该方法制造的激光二极管棒(10)。

技术领域

本发明涉及一种用于制造激光二极管棒的方法和一种激光二极管棒，所述激光二极管棒可以利用该方法来制造。

本专利申请要求德国专利申请10 2016 111 058.2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。

背景技术

尤其地，该方法设为用于如下激光二极管棒，所述激光二极管棒基于氮化物化合物半导体材料，尤其是InAlGaN。这样的激光二极管棒尤其可以发射在可见光谱范围中的辐射。但是，由氮化物化合物半导体制造高效的激光二极管棒是困难的，因为在该材料体系中与其他材料体系、譬如InAlGaAs相比会出现提高的缺陷密度。

发明内容

要解决的任务在于，提出一种激光二极管棒和一种用于其制造的方法，其中激光二极管棒的特征在于改进的效率。

该任务通过用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒来解决。本发明的有利的设计方案和改进方案是下面描述的主题。

根据用于制造激光二极管棒的方法的至少一个实施形式，制造多个并排设置的发射器，其中发射器可以有利地单独地电接触。发射器尤其分别具有适合于发射激光辐射的半导体层序列。发射器的半导体层序列例如分别具有n型半导体区域、p型半导体区域和设置在其之间的有源层，所述有源层适合于产生激光辐射。n型半导体区域、有源层和p型半导体区域可以分别具有一个或多个子层。可能的是，n型半导体区域、有源层和p型半导体区域包含一个或多个未掺杂的层。

此外，发射器分别在激光二极管棒的第一主面上具有p接触部和在与第一主面相对置的第二主面上具有n接触部。换言之，从有源层来看，p接触部和n接触部彼此相对置。

第一主面可以朝向载体，譬如热沉，和用作为用于激光二极管棒的安装面。第二主面可以是激光二极管棒的背离载体的表面。

在该方法中，检查发射器的至少一个光学和/或电学特性。在此情况下，如下发射器归属于第一发射器的组，在所述发射器中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内。另一方面，如下发射器归属于第二发射器的组，在所述发射器中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之外。

发射器归属于第一发射器的组或第二发射器的组例如可以通过如下方式进行：执行发射器的测试运行，并且在此情况下测量至少一个电学和/或光学特性。在测试运行中，发射器可以至少临时地电接触并且借助电流来运行。电学和/或光学特性尤其可以是在预设的电流下的发射强度。此外，在发射器中检查的电学和/或光学特性例如可以是阈值电流强度，在该阈值电流强度下发射器的激光发射开始。

在后续的方法步骤中，电接触第一发射器。电接触尤其可以包括：构建至第一发射器的馈电线，所述馈电线设为用于，在激光二极管棒运行时用电流供给第一发射器。作为馈电线尤其可以设置接合线。

另一方面，第二发射器未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒运行时未被供给电流。例如可以提出，第一发射器分别与接合线接触，而在第二组的发射器中电接触部中的至少一个电接触部、例如p接触部不设有馈电线、譬如接合线。替选地例如也可以提出，所有发射器的两个电接触部首先都设有馈电线、譬如接合线，并且之后再次将第二发射器的至少一个电接触部的馈电线移除或切断。为此，例如可以将设为用于建立电联接的接合线切断或移除。