[发明专利]有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法在审
申请号: | 201780037820.X | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN109313871A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 冈部达;锦博彦;家根田刚士 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02B26/02;G09F9/37;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/22 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 绝缘膜 源矩阵基板 接触孔 氧化物半导体膜 玻璃基板 显示装置 电连接 断接 光闸 基板 制造 | ||
1.一种有源矩阵基板,其特征在于,包括:
基板;形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜;形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜;形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜;形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜;在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜;一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜;在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜;和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔,
所述接触孔具有:形成在第一绝缘膜中的第一孔;形成在第二绝缘膜中的第二孔;和形成在第三绝缘膜中的第三孔,
在所述第一孔的内侧,第一金属膜和第三金属膜接触,
在所述第三孔的下方的区域,第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠,
在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域,第二金属膜和第三金属膜接触。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
第二孔形成在所述第一孔的内侧,第一金属膜和第三金属膜在第二孔的内侧接触。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述氧化物半导体膜具有第一部分,该第一部分形成在第三孔的下方且第一孔的内侧的区域,该第一部分与第三金属膜接触。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述氧化物半导体膜具有第二部分,该第二部分形成在所述第三孔的下方且第一绝缘膜的上方的区域,该第二部分与第三金属膜接触。
5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述氧化物半导体膜中的形成在第三孔的下方的部分全都与第二绝缘膜重叠。
6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述第二部分与第二金属膜接触。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述第一部分和第二绝缘膜以及第三金属膜重叠,所述第二部分和第二金属膜以及第三金属膜重叠。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
在俯视时,第三孔的开口与第一孔的开口整体重叠。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板,其特征在于:
在第一孔的内侧设置有氧化物半导体的开口。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
第一金属膜和第三金属膜在所述接触孔内不接触。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
第三金属膜为透明导电膜。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述第一绝缘膜和第三绝缘膜由有机材料形成。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述第二绝缘膜由无机材料形成。
14.一种光闸基板,其特征在于,包括:
权利要求1~13中任一项所述的有源矩阵基板;和形成在该有源矩阵基板上的光闸机构。
15.一种显示装置,其特征在于:
包括权利要求1~13中任一项所述的有源矩阵基板。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于:
在所述有源矩阵基板上设置有有机发光二极管。
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