[发明专利]有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法

说明书

本发明提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在玻璃基板(1)上包括：第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)和第一金属膜～第三金属膜(5、9、12)；和将第一金属膜和第二金属膜(5、9)电连接的接触孔(CH)，上述接触孔(CH)具有分别形成在第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)中的第一孔～第三孔(H1、H2、H3)，在第一孔(H1)的内侧，第一金属膜和第三金属膜(5、12)接触，在上述第三孔(H3)的下方的区域，第二绝缘膜(6)和氧化物半导体膜(7)重叠，在上述第一绝缘膜(4)的上方且第三孔(H3)的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜(9、12)接触。

技术领域

本发明涉及用于显示装置的有源矩阵基板。

背景技术

液晶显示装置、有机EL显示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)显示器等显示装置中使用排列有多个TFT(薄膜晶体管)的有源矩阵基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开特许公报“特开2011-43856号公报(2011年3月3日公开)”

发明内容

发明要解决的技术问题

有源矩阵基板通常包含使形成在不同层的两个金属膜经由接触孔电连接的构造，但是会因在接触孔内产生的金属膜的断接(disconnection，连接断开)而产生两者间的连接不良。

本发明的目的之一在于提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式的有源矩阵基板包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜；在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜；和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔，所述接触孔具有：形成在第一绝缘膜中的第一孔；形成在第二绝缘膜中的第二孔；和形成在第三绝缘膜中的第三孔，在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜接触，在所述第三孔的下方的区域，第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠，在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜接触。

发明效果

采用上述结构，能够实现难以在接触孔内产生导体膜的断接的有源矩阵基板。

附图说明

图1是表示实施方式1的显示装置的结构的示意图。

图2是表示实施方式1的光闸基板的结构的截面图。

图3是表示实施方式1的光闸基板的结构的电路图。

图4是表示实施方式1的有源矩阵基板的结构(TFT部分)的截面图。

图5是表示实施方式1的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。

图6是表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的流程图。

图7是表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的截面图。

图8是表示实施方式2的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。

图9是表示实施方式3的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。

图10是表示实施方式4的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。