[发明专利]具有畸变匹配的密集线极紫外光刻系统

权利要求书

1.一种将平行线图案转移到包括已有图案的工件上的极紫外光刻系统，该光刻系统包括：

工件台组件，该工件台组件保持并移动所述工件；

EUV照射系统，该EUV照射系统将极紫外光束引导到限定所述平行线图案的图案化元件处；

投影光学组件，该投影光学组件随着所述工件在第一扫描期间相对于曝光场移动，而将多条平行线的图像在该曝光场内投射并转移到所述工件上，所述曝光产生大致沿着第一轴延伸的所成像的多条线的第一条带；以及

控制系统，该控制系统控制所述工件台组件在所述第一扫描期间沿着第一扫描轨迹相对于所述曝光场移动所述工件，所述第一扫描轨迹大致沿着所述第一轴；

其中，在所述第一扫描期间，所述极紫外光束与所述图案化元件的沿着所述第一轴的位置关系不变，

所述控制系统在所述工件台组件的所述第一扫描期间选择性地调节控制参数，使得根据已有图案的位于平行线的所述第一条带下的畸变，使平行线的所述第一条带畸变，从而相比于不调节所述控制参数的情况更精确地覆盖所述已有图案的部分。

2.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统，其中，所述控制参数包括在所述第一扫描期间将所述第一扫描轨迹选择性地调节为包括沿着垂直于所述第一轴的第二轴的一部分移动，使得相对于不进行沿着所述第二轴的移动的情况，平行线的所述第一条带更精确地覆盖已有图案的位于平行线的所述第一条带下的部分。

3.根据权利要求2所述的极紫外光刻系统，其中，所述控制参数包括在所述第一扫描期间将所述第一扫描轨迹选择性地调节为包括绕垂直于所述第一轴和所述第二轴的第三轴的一部分移动，使得平行线的所述第一条带更精确地覆盖已有图案的位于平行线的所述第一条带下的部分。

4.根据权利要求3所述的极紫外光刻系统，其中，在所述第一扫描期间，沿着所述第二轴或绕所述第三轴的移动是相对于不进行沿着所述第二轴或绕所述第三轴的移动的情况所述工件沿着所述第一轴的工件位置的函数。

5.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统，其中，所述控制参数包括在所述第一扫描期间选择性地调节所述多条平行线的放大率，使得相对于不调节所述放大率的情况，平行线的所述第一条带更精确地覆盖已有图案的位于平行线的所述第一条带下的部分。

6.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统，其中，所述控制参数包括在所述第一扫描期间选择性地调节所述多条平行线的放大率倾斜，使得平行线的所述第一条带更精确地覆盖已有图案的位于平行线的所述第一条带下的部分。

7.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统，其中，所述控制参数包括选择性地调节以下中的一个或更多个：(i)在所述第一扫描期间将所述第一扫描轨迹调节为包括沿着垂直于所述第一轴的第二轴的一部分移动和绕垂直于所述第一轴和所述第二轴的第三轴的一部分移动；(ii)在所述第一扫描期间调节所述图案化元件图案的放大率；以及(iii)在所述第一扫描期间调节所述图案化元件图案的放大率倾斜。

8.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统，其中，所述已有图案包括多个晶粒，并且其中，所述控制系统控制所述EUV照射系统，使得在所述第一扫描期间沿着所述第一扫描轨迹每隔一个晶粒不曝光。

9.根据权利要求8所述的极紫外光刻系统，其中，所述控制系统控制所述EUV照射系统在第二扫描期间沿着所述第一扫描轨迹对未曝光的晶粒进行曝光。

10.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统，其中，所述已有图案包括多个晶粒，

所述控制系统控制所述EUV照射系统，使得在所述第一扫描期间沿着所述第一扫描轨迹的多个晶粒中的第一晶粒被曝光，并且，在所述第一扫描期间沿着所述第一扫描轨迹的多个晶粒中的与所述第一晶粒相邻的第二晶粒不被曝光，在所述第一扫描期间沿着所述第一扫描轨迹的多个晶粒中的关于所述第二晶粒位于所述第一晶粒的相反侧的第一晶粒被曝光。