[发明专利]具有畸变匹配的密集线极紫外光刻系统

说明书

一种极紫外光刻系统(10)，其在工件(22)上产生具有多条密集填充平行线(332)的新图案(330)，所述系统(10)包括：图案化元件(16)；EUV照射系统(12)，该EUV照射系统将极紫外光束(13B)引导到所述图案化元件(16)处；投影光学组件(18)，该投影光学组件将从所述图案化元件(16)衍射的所述极紫外光束引导到所述工件(22)处，以在第一扫描(365)期间产生大致平行线(332)的第一条带(364)；以及控制系统(24)。所述工件(22)包括畸变的已有图案(233)。所述控制系统(24)在所述第一扫描(365)期间选择性地调节控制参数，使得所述第一条带(364)畸变成更精确地覆盖已有图案的位于所述第一条带(364)下的部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求保护以下美国临时专利申请：2016年6月20日提交的并且题名为“Dense Line Extreme Ultraviolet Lithography System with Distortion Matching”的序列号62/352,545的美国临时专利申请；2016年6月22日提交的并且题名为“ExtremeUltraviolet Lithography System that Utilizes Pattern Stitching”的序列号62/353,245的美国临时专利申请；以及2017年5月11日提交的并且题名“Illumination Systemwith Curved 1D-Patterned Mask for Use in EUV-Exposure Tool”的序列号62/504,908的美国临时专利申请中的每一个的优先权。至于许可，序列号62/352,545、序列号62/353,245以及序列号62/504,908的美国临时专利申请的内容皆出于所有目的通过引用而并入本文中。

本申请还要求保护2017年5月18日提交的并且题名为“EUV Lithography Systemfor Dense Line Patterning”的美国专利申请No.15/599,148的优先权。此外，本申请还要求保护2017年5月18日提交的并且题名为“EUV Lithography System for Dense LinePatterning”的美国专利申请No.15/599,197的优先权。至于许可，美国专利申请No.15/599,148和美国专利申请No.15/599,197的内容皆出于所有目的通过引用而并入本文中。

至于许可，美国临时专利申请：2016年5月19日提交的并且题名为“EUVLithography System for Dense Line Patterning”的序列号62/338,893的美国临时专利申请；2017年4月19日提交的并且题名为“Optical Objective for Dense LinePatterning in EUV Spectral Region”的序列号62/487,245的美国临时专利申请；以及2017年4月26日提交的并且题名为“Illumination System With Flat I D-PatternedMask for Use in EUV-Exposure Tool”的序列号62/490,313的美国临时专利申请的内容皆出于所有目的通过引用而并入本文中。

技术领域

本发明涉及在半导体工件的光刻过程中使用的曝光(exposure)工具，更具体地，涉及被配置成在工件上形成彼此隔开达几十纳米或更小的平行线图案的曝光工具。

背景技术

光刻系统通常被用于在曝光期间将图像从图案化元件(patterning element)转移到工件上。下一代光刻技术可以使用极紫外(EUV)光刻技术来使得能够制造具有极小特征尺寸的半导体工件。

发明内容