[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物在审

专利信息
申请号: 201780038336.9 申请日: 2017-06-05
公开(公告)号: CN109313400A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 川野伸一;大日向秀收 申请(专利权)人: 野村微科学股份有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42;H01L21/027
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 抗蚀剂剥离液 表面活性剂 水晶振子 抗蚀剂剥离 质量份 氧化烯表面活性剂 流水 抗蚀剂残渣 测定基板 纯水漂洗 氧化烯基 氧化铟锡 振荡频率 附着量 微天平 再附着 附着 基板 单调 配合
【说明书】:

本发明提供一种具有优良的抗蚀剂剥离性能、并且在纯水漂洗时抗蚀剂剥离物在基板上的再附着(抗蚀剂残渣)极少的抗蚀剂剥离液组合物。所述抗蚀剂剥离液组合物是在(A)抗蚀剂剥离液100质量份中配合0.01~10质量份(B)分子中具有氧化烯基的表面活性剂而成的,所述(B)表面活性剂由下述的氧化烯表面活性剂制成:在水晶振子微天平法中,在水晶振子测定基板上的氧化铟锡(ITO)膜面上附着的所述表面活性剂在流水下于1000秒以内单调地减少并消失,其中,所述(B)表面活性剂的附着量为1nmol/cm2~20nmol/cm2,所述ITO膜面的所述流水的流速为0.1mL/分钟,所述水晶振子的振荡频率为4.95MHz。

技术领域

本发明涉及抗蚀剂剥离液组合物。

背景技术

在半导体元件、液晶面板元件等的制造中,通过真空蒸镀或化学气相沉积在硅晶片、玻璃等基板上形成硅半导体层、或氧化硅膜等栅极绝缘膜、氧化铟锡膜(ITO膜)等电极膜、氮化硅膜等保护绝缘膜等。然后,在栅极绝缘膜或保护绝缘膜上均匀地涂布光致抗蚀剂,然后该光致抗蚀剂被选择性地曝光、显影处理而形成光致抗蚀剂图案。然后,将该图案作为掩模选择性地腐蚀上述栅极绝缘膜或保护绝缘膜,形成微细电路,然后用抗蚀剂剥离液除去不需要的光致抗蚀剂层而制造液晶面板元件。

以往,作为由酚醛清漆树脂制成的抗蚀剂被膜的剥离液,使用的是在单乙醇胺(MEA)、N-甲基氨基乙醇、N-甲基-2-吡咯烷酮等胺系化合物中添加了二甲基亚砜(DMSO)之类的水溶性有机溶剂和水的胺系抗蚀剂剥离液。

作为胺系以外的抗蚀剂剥离液,已知有:含有具有还原性和吸附性的防腐蚀剂、水溶性有机溶剂、水和表面活性剂的抗蚀剂剥离液(参照例如专利文献1)。

这里,在上述光致抗蚀剂图案的形成过程中,在腐蚀后的抗蚀剂剥离工序之后接着进行用纯水洗涤除去附着于基板上的抗蚀剂剥离液的漂洗工序。在使用胺系以外的抗蚀剂剥离液的情况下,在该用纯水进行的漂洗工序中存在着下述问题:抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂剥离物析出于基板表面上、或抗蚀剂剥离液中分散的抗蚀剂剥离物的微粒再附着于基板表面上,从而产生抗蚀剂残渣。

已知的是,为了防止上述这样的溶解抗蚀剂剥离物在基板表面上的析出或抗蚀剂剥离物的微粒在基板表面上的再附着,在漂洗工序中,使用在纯水中含有表面活性剂的漂洗液(参照例如专利文献2)。另外,还提出了在选自碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、γ-丁内酯和环戊酮之中的一种以上中添加了碳酸甘油酯而成的抗蚀剂剥离液(参照例如专利文献3)。

可是,在漂洗液中含有表面活性剂的情况下,存在着下述课题:变得需要洗涤漂洗液的追加漂洗工序、以及因漂洗液起泡而产生洗涤设备的维护负担。

因此,希望有仅用纯水就能漂洗的抗蚀剂剥离液,近年来,伴随着液晶显示面板的大面积化和液晶面板元件的多层化,对洗涤后的基板表面上残留的抗蚀剂残渣的要求变得更加严格。因此,需要抗蚀剂残渣极少的抗蚀剂剥离液组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2008-58624号公报

专利文献2:日本特开2006-11054号公报

专利文献3:国际公开2014/2151号

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是为了解决上述课题而完成的,其目的是提供一种具有优良的抗蚀剂剥离性能、并且在抗蚀剂剥离后的纯水漂洗时抗蚀剂剥离物在基板上的再附着(抗蚀剂残渣)极少的抗蚀剂剥离液组合物。

用于解决课题的手段

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