[发明专利]从金属结构上去除铝-硅涂层的方法及制备磁性部件的相关方法

权利要求书

1.一种用于选择性地去除烧制在金属结构的表面上的硅酸铝涂层的方法，其包括在足以去除所述涂层而基本上不影响所述金属表面的条件下，使所述涂层与熔融的氢氧化钾(KOH)接触的步骤，所述熔融的氢氧化钾在270℃至280℃范围的温度下与所述涂层接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述熔融的氢氧化钾包含至少85重量％的氢氧化钾。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层与所述熔融的氢氧化钾的接触通过将所述金属结构浸入所述熔融的氢氧化钾浴中来进行。

4.根据权利要求3所述的方法，其中对于厚度高达3密耳的涂层，浸没时间在30分钟至210分钟的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酸铝涂层包含至少一种碱金属。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述硅酸铝涂层包含钠和钾。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酸铝涂层以水性浆料的形式施加到所述金属结构的表面。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述浆料包含至少一种有机粘结剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在烧制所述浆料之前，在足以去除基本上所有有机粘结剂材料的温度下干燥所述浆料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中经干燥的涂层在至少500℃的温度下进行烧制。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述涂层在烧制时被氮化。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述涂层是基本上不透气的。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述涂层是覆盖所述金属结构的表面的所选区域的掩蔽材料。

14.一种制备磁性部件的方法，其包括：

a)使用包括经烧制的硅酸铝涂层的氮掩蔽材料，来掩蔽所述部件的表面部分的预选区段，以在所述部件中形成经掩蔽的区域；

b)在大于900℃的温度下在富氮大气中热处理所述部件，以在磁性合金中形成混杂的第一区域和第二区域；其中

所述第一区域包含磁相；

所述第二区域包含非磁相；

所述第二区域包含大于0.1％的氮；以及然后

c)在足以去除所述掩蔽材料而基本上不影响所述部件的条件下，通过使所述掩蔽材料与熔融的氢氧化钾在270℃至280℃范围的温度下接触，选择性地去除所述氮掩蔽材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述熔融的氢氧化钾包含至少85重量％的氢氧化钾。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述磁性部件是电机的一部分。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述电机选自永磁电机、开关磁阻电机、同步磁阻电机和感应电机。

18.一种用于选择性地去除烧制在金属结构的表面上的硅酸铝涂层的方法，其包括在足以去除所述涂层而基本上不影响金属表面的条件下，使所述涂层与熔融的氢氧化铯(CsOH)、或熔融的氢氧化钾(KOH)和熔融的CsOH的组合接触的步骤。