[发明专利]芯片构件及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片构件，包括：

叠层体，叠层有多个片材；以及

表面改质部件，设置于所述叠层体的至少一个区域上，

其中所述表面改质部件被配置成暴露出所述叠层体的表面的至少一部分，且

所述表面改质部件分散于所述叠层体的所述表面上。

2.根据权利要求1所述的芯片构件，其中在所述叠层体内设置有与所述片材不同的异质材料层。

3.根据权利要求2所述的芯片构件，其中所述异质材料层包括导电图案，所述导电图案具有预定形状并具有用于防止过电压的材料层。

4.根据权利要求1所述的芯片构件，其中所述表面改质部件以占所述叠层体的表面积的5％至90％的表面积分布。

5.根据权利要求4所述的芯片构件，其中所述表面改质部件包含晶体状态的氧化物与非晶体状态的氧化物中的至少一者。

6.根据权利要求5所述的芯片构件，其中所述氧化物包括以下中的至少一者：Bi₂O₃、BO₂、B₂O₃、ZnO、Co₃O₄、SiO₂、Al₂O₃、MnO、H₂BO₃、Ca(CO₃)₂、Ca(NO₃)₂及CaCO₃。

7.根据权利要求6所述的芯片构件，其中所述氧化物的至少一部分嵌入所述叠层体的所述表面中。

8.根据权利要求6所述的芯片构件，其中所述氧化物包括具有至少一或多种粒径的微粒，所述具有至少一或多种粒径的微粒在至少一个区中聚集或连接至彼此。

9.根据权利要求8所述的芯片构件，其中所述氧化物的所述微粒具有0.1μm至10μm的平均粒径。

10.根据权利要求1所述的芯片构件，还包括界定于所述叠层体的所述表面的至少一部分中的凹陷部。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的芯片构件，还包括设置于所述叠层体中的第二表面改质部件。

12.根据权利要求11所述的芯片构件，其中所述第二表面改质部件设置于构成所述叠层体的至少一个片材上。

13.一种芯片构件，包括：

叠层体，在所述叠层体中叠层有多个片材；

异质材料层，设置于所述叠层体中且由与所述多个片材中的每一者的材料不同的材料制成；

外部电极，设置于所述叠层体的至少一个表面上，以及

表面改质部件，形成于所述叠层体的表面上以暴露出所述叠层体的所述表面的至少一部分，

其中所述表面改质部件分散于所述叠层体的所述表面上。

14.根据权利要求13所述的芯片构件，其中所述表面改质部件包含氧化物。

15.根据权利要求14所述的芯片构件，其中所述氧化物具有等于所述叠层体的厚度的0.01％至10％的厚度。

16.一种制造芯片构件的方法，包括：

制备多个芯片构件；以及

在所述多个芯片构件的至少一个表面上形成表面改质部件，

其中所述表面改质部件的所述形成包括：

馈送所述多个芯片构件及氧化物粉末至容器中；以及

旋转所述容器以使所述氧化物粉末贴合至所述芯片构件的表面的一部分为暴露出所述芯片构件的所述表面的至少一部分。