[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器阵列有效
申请号: | 201780040692.4 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN109417106B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 小川新平;藤泽大介;岛谷政彰;奥田聪志 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/111 | 分类号: | H01L31/111 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 检测器 以及 阵列 | ||
1.一种电磁波检测器,其特征在于,包括:
基板,具有表面和背面;
下部绝缘层,设置于该基板的表面上;
铁电体层,设置于该下部绝缘层上;
隔着该铁电体层相向配置的一对电极,设置于该下部绝缘层上;
上部绝缘层,设置于该铁电体层上;以及
二维材料层,在该下部绝缘层及该上部绝缘层上,以连接该一对电极的方式设置,
与该下部绝缘层相反的一侧的该二维材料层的表面是电磁波入射面,
对入射到该二维材料层的电磁波进行光电变换而进行检测,
其中,根据该电磁波,该铁电体层的极化值产生变化,对该二维材料层施加电压,
所述二维材料层是从由石墨烯、过渡金属二硫属化合物、黑磷、硅烯以及锗烯构成的群组选择的二维材料的层。
2.根据权利要求1所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述铁电体层配置于所述二维材料层和所述电极接触的界面的下方。
3.根据权利要求1所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述铁电体层不配置于所述二维材料层和所述电极接触的界面的下方。
4.一种电磁波检测器,其特征在于,包括:
基板,具有表面和背面;
下部绝缘层,设置于该基板的表面上;
二维材料层,设置于该下部绝缘层上;
铁电体层,在该二维材料层上经由上部绝缘层设置;以及
隔着该铁电体层相向配置的一对电极,
与该下部绝缘层相反的一侧的该二维材料层的表面是电磁波入射面,
对入射到该二维材料层的电磁波进行光电变换而进行检测,
其中,根据该电磁波,该铁电体层的极化值产生变化,对该二维材料层施加电压,
所述二维材料层是从由石墨烯、过渡金属二硫属化合物、黑磷、硅烯以及锗烯构成的群组选择的二维材料的层。
5.根据权利要求4所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述铁电体层在所述二维材料层和所述电极接触的界面的上方以覆盖该界面的方式配置。
6.根据权利要求4所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述铁电体层在所述二维材料层和所述电极接触的界面的上方以不覆盖该界面的方式配置。
7.根据权利要求1、3、4、6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述一对电极之间设置有1个所述铁电体层,从该铁电体层至一对该电极的距离相等。
8.根据权利要求1~6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述一对电极之间设置有1个所述铁电体层,从该铁电体层至一对该电极的距离互不相同。
9.根据权利要求1~6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述一对电极之间,设置有多个铁电体层。
10.根据权利要求1~6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述一对电极之间,在一维方向或者二维方向上配置有多个铁电体层。
11.根据权利要求1~6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述铁电体层包括层叠或者混合不同的铁电体材料而得到的材料。
12.根据权利要求1~6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述二维材料层是2层以上的多层构造。
13.根据权利要求1~6中的任意一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
石墨烯的所述二维材料层是纳米带。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的