[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器阵列有效
申请号: | 201780040692.4 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN109417106B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 小川新平;藤泽大介;岛谷政彰;奥田聪志 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/111 | 分类号: | H01L31/111 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 检测器 以及 阵列 | ||
对入射到石墨烯层的电磁波进行光电变换而检测的电磁波检测器包括:基板,具有表面和背面;下部绝缘层,设置于基板的表面上;设置于下部绝缘层上的铁电体层、及隔着铁电体层相向配置的一对电极;上部绝缘层,设置于铁电体层上;以及石墨烯层,在下部绝缘层及上部绝缘层上以连接2个电极的方式设置,或者,包括:石墨烯层,设置于下部绝缘层上;以及在石墨烯层上经由上部绝缘层设置的铁电体层、及隔着该铁电体层相向配置的一对电极,与下部绝缘层相反的一侧的石墨烯层的表面是电磁波入射面,由于电磁波,铁电体层的极化值变化,对石墨烯层施加电压。
技术领域
本发明涉及电磁波检测器,特别涉及在光检测层中使用石墨烯的电磁波检测器。
背景技术
在以往的电磁波检测器中,作为电磁波检测层一般使用半导体材料,但半导体材料由于具有预定的带隙,所以存在仅能够检测具有比带隙大的能量的电磁波这样的问题。
因此,作为在下一代的电磁波检测器中使用的电磁波检测层的材料,带隙为零或者极其小的石墨烯得到瞩目,例如,提出了在基板上设置栅极氧化膜、在其上堆积石墨烯的沟道层并在沟道层的两端形成源极以及漏极的电磁波检测器(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2013-502735号公报
发明内容
然而,在由石墨烯单体形成电磁波检测器的电磁波检测层的情况下,在石墨烯中电磁波的吸收率非常低到几%,所以存在即使可检测的电磁波的波长域宽,检测灵敏度也变低这样的问题。
因此,本发明的目的在于提供一种能够高灵敏度地检测宽的波长域的电磁波的电磁波检测器。
本发明是一种电磁波检测器,其特征在于,包括:
基板,具有表面和背面;
下部绝缘层,设置于基板的表面上;
设置于下部绝缘层上的铁电体层、及隔着铁电体层相向配置的一对电极;
上部绝缘层,设置于铁电体层上;以及
石墨烯层,在下部绝缘层及上部绝缘层上,以连接2个电极的方式设置,
与下部绝缘层相反的一侧的石墨烯层的表面是电磁波入射面,
对入射到石墨烯层的电磁波进行光电变换而检测,其中,
由于电磁波,铁电体层的极化值变化,通过该变化,对石墨烯层施加电压。
另外,本发明是一种电磁波检测器,其特征在于,包括:
基板,具有表面和背面;
下部绝缘层,设置于基板的表面上;
石墨烯层,设置于下部绝缘层上;以及
在石墨烯层上经由上部绝缘层设置的铁电体层、及隔着铁电体层相向配置的一对电极,
与下部绝缘层相反的一侧的石墨烯层的表面是电磁波入射面,
对入射到石墨烯层的电磁波进行光电变换而检测,其中,
由于电磁波,铁电体层的极化值变化,通过该变化,对石墨烯层施加电压。
在本发明中,通过入射电磁波的热电效果(pyroelectric effect),铁电体层的表面的极化值变化,通过该变化施加电压(以下将其称为“极化电压”)。其结果,除了通过电磁波的入射在石墨烯层中发生的光电流以外,通过对石墨烯层施加极化电压,也在石墨烯层中流过电流,能够高灵敏度地检测电磁波。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的