[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置，具有单元部、和包括将上述单元部的外周包围的保护环部及位于该保护环部与上述单元部之间的连接部在内的外周部，

上述碳化硅半导体装置具有：第1或第2导电型的基板(1、101)；以及形成在上述基板的表面侧、且与上述基板相比为低杂质浓度的第1导电型的漂移层(2、102)；

在上述单元部或上述单元部及上述连接部，具备配置在以条纹状形成于上述漂移层的多个线状的第1沟槽(5a、30a、103a)内、且由第2导电型的外延膜构成的第2导电型层(5、31、103)；

在上述单元部，具备纵型的半导体元件，该纵型的半导体元件具有：

第1电极(9、106)，与上述第2导电型层电连接；以及

第2电极(11、107)，形成于上述基板的背面侧；

在上述第1电极与上述第2电极之间流经电流；

在上述保护环部或上述保护环部及上述连接部，具备第2导电型环(21、32、104、105)，该第2导电型环被配置在由上述漂移层的表面形成并且将上述单元部包围的多个呈框形状的第2沟槽(21a、30a、104a、105a)内，且由第2导电型的外延膜构成；

上述第2导电型环之中的位于外周侧的至少一部分被作为上述保护环部所具备的保护环(21、104)，并且该保护环之中的位于外周侧的部分被作为呈线状的环部(212、1042)；

在上述第2导电型环之中的比上述环部靠内侧，具备该第2导电型环以点线状构成的多条点线部(211、322、1041、1052)，并且该点线部彼此的间隔比上述环部彼此的间隔窄。

2.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，

上述第2导电型环为将多个框形状以同心状配置的结构；

在从上述第2导电型环的中心朝向外周侧的放射方向上，使每单位面积的上述点线部被形成的面积与每单位面积的上述环部被形成的面积的比，为2/3倍到1.5倍的范围。

3.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，

上述第2导电型环为将多个框形状以同心状配置的结构；

在从上述第2导电型环的中心朝向外周侧的放射方向上，使每单位面积的上述点线部被形成的面积与每单位面积的上述环部被形成的面积的比相等。

4.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，

在相邻的上述点线部，构成该相邻的各个上述点线部的点部(211a)彼此之间的间隙部在从该第2导电型环的中心朝向外周侧的放射方向上不排列在一直线上。

5.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，

在相邻的上述点线部，在从该第2导电型环的中心朝向外周侧的放射方向上，为该相邻的上述点线部之中的配置在内周侧的上述点线部的各点部之间的间隙部、与配置在外周侧的上述点线部的各点部的中央位于一直线上的布局。

6.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，

将上述第2导电型环之中的位于上述保护环部与上述单元部之间的部分作为上述连接部；

在上述基板的厚度方向上，使上述单元部及上述连接部为比上述保护环部突出的岛状的高台部，在该高台部与上述保护环部的边界位置，使上述第2导电型环为上述点线部。