[发明专利]使用从邻近结构扩散的掺杂剂种类的关联电子材料器件

权利要求书

1.一种构建切换器件的方法，包括：

使用一种或多种前驱体形成导电基板；

在所述导电基板上形成关联电子材料膜；以及

通过使衍生自所述一种或多种前驱体的第一掺杂剂种类扩散到所述关联电子材料膜中来掺杂所述关联电子材料膜。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括使所述导电基板退火以分解所述一种或多种前驱体来提供所述第一掺杂剂种类。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述导电基板包括使用原子层沉积工艺、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、溅射沉积、物理气相沉积、热线化学气相沉积、激光增强化学气相沉积、激光增强原子层沉积、快速热化学气相沉积或其任意组合。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述导电基板上形成所述关联电子材料膜包括形成氧化镍膜。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述导电基板包括形成氮化钛、氮化钽、氮化钨或其任意组合的导电基板。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一掺剂种类包括碳、氯、氮、氟、氰化物(CN)、亚硝酰基(NO)、氨(NH₃)、氮氧化物分子(N_xO_y，其中x和y包括整数，并且其中x≥0且y≥0并且至少x或y包括值>0)、以及形式C_xH_yN_z的分子(其中x≥0、y≥0、z≥0，并且其中至少x、y、或z包括值>0)或其任意组合。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述第一掺杂剂种类包括产生P型关联电子材料膜的材料。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在所述关联电子材料膜上形成导电覆盖层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括通过将衍生自用于形成所述导电覆盖层的一种或多种前驱体的第二掺杂剂种类扩散到所述关联电子材料膜来掺杂所述关联电子材料膜。

10.一种制造切换器件的方法，包括：

在导电基板上形成关联电子材料膜；

在关联电子材料膜上形成导电覆盖层；以及

使用衍生自用于形成所述导电基板或导电覆盖层或其组合的一种或多种前驱体的一个或多个掺杂剂种类来掺杂所述关联电子材料膜。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述掺杂包括使所述导电基板和所述导电覆盖层退火以将所述一个或多个掺杂剂种类扩散到所述关联电子材料膜中。

12.根据权利要求11的方法，其中，所述退火包括扩散碳、氯、氮、氟、氰化物(CN)、亚硝酰基(NO)、氨(NH₃)、氮氧化物分子(N_xO_y，其中x和y包括整数，并且其中x≥0且y≥0并且至少x或y包含值>0)、以及形式C_xH_yN_z的分子(其中x≥0、y≥0、z≥0，并且其中至少x、y、或z包括值>0)或其任意组合。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个掺杂剂种类包括降低所述导电基板或所述导电覆盖层或其组合的导电性的材料。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述关联电子材料膜的电子反馈材料中的氧空位填充所述一个或多个掺杂剂种类。