[发明专利]使用从邻近结构扩散的掺杂剂种类的关联电子材料器件

说明书

本技术总体涉及用于例如执行切换功能的关联电子材料的制造。在实施例中，可使用衍生自用于制造诸如导电基板(210)或导电覆盖层(230)的邻近结构的一种或多种前驱体的掺杂剂种类(205，206)来掺杂关联电子材料(220)。

技术领域

本技术总体涉及关联电子材料器件，并且更具体地可涉及制造展现出期望的阻抗特性的关联电子材料器件(例如可用在开关、存储器电路等中)的方法。

背景技术

诸如电子切换器件之类的集成电路器件可以在各种电子器件类型中找到。例如，存储器和/或逻辑器件可并入适用于计算机、数码相机、蜂窝电话、平板设备、个人数字助理等的电子开关。设计者在考虑电子切换器件是否适合于特定应用时可能感兴趣的与电子切换器件有关的因素，例如可包括物理尺寸、存储密度、工作电压、阻抗范围和/或功耗。设计者可能关注的其他因素例如可包括制造成本、易于制造、可扩展性和/或可靠性。此外，对展现出较低功率和/或较高速度的特性的存储器和/或逻辑器件的需求似乎在不断增长。

附图说明

要求保护的主题在说明书的结论部分中具体指出并明确要求保护。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下的详细描述可最好地理解关于组织和/或操作方法二者，以及其目的、特征和/或优点，其中：

图1A是由关联电子材料形成的器件的电流密度相对于电压分布的实施例的图示；

图1B是包括关联电子材料的切换器件的实施例的图示和关联电子材料开关的等效电路的示意图；

图2A是示出掺杂剂种类(dopant species)原子的导电基板的实施例的图示；

图2B是响应于导电基板的掺杂而接收掺杂剂种类原子的关联电子材料的实施例的图示；

图2C是关联电子材料(CEM)膜上方沉积的导电基板的实施例的图示；

图2D是响应于导电覆盖层的掺杂而接收掺杂剂种类原子的关联电子材料的实施例的图示；

图3A是用于与一个或多个类型的掺杂剂种类分子一起形成导电基板材料的示例前驱体的实施例的示意图；

图3B是嵌入导电材料中的掺杂剂种类分子扩散到CEM膜的的实施例的图示；以及

图4和图5是用于制造具有降低的界面层阻抗的关联电子材料的通用工艺的实施例的流程图。

具体实施方式

在以下详细描述中参考了形成本发明的一部分的附图，其中，贯穿全文相同的附图标记可以表示相同和/或类似的相同部分。应理解，附图不一定按比例绘制，例如出于说明的简单和/或清楚的目的。例如，一些实施例的尺寸可能相对于其他实施例被夸大。此外，应理解，可以采用其他实施例。此外，在不脱离所要求保护的主题的情况下，可以进行结构变化和/或其他变化。本说明书中对“要求保护的主题”的引用是指旨在由一个或多个权利要求或其任何部分涵盖的主题，并且不一定旨在指代完整的权利要求集、指代权利要求集的特定组合(例如，方法权利要求、产品权利要求等)或指代特定权利要求。还应注意，例如，诸如上、下、顶部、底部等的方向和/或引用可用于促进对附图的讨论，并且不旨在限制所要求保护的主题的应用。因此，以下详细描述不应被视为限制所要求保护的主题和/或等同物。