[发明专利]模塑互连器件及制造其的方法

说明书

在一些实施例中，一种制造工艺包括将一钯催化材料注塑成型为一基板；在基板的外部的且露出的表面上形成一薄铜膜；烧蚀或去除基板的铜膜以提供铜膜的第一部分、第二部分以及可选的第三部分以及烧蚀的部分；电解镀覆各部分以形成金属镀覆的部分；以及烧蚀或去除第二部分以隔离第一部分。金属镀覆的第一部分包括一模塑互连器件(MID)的一电路部分，而且其中金属镀覆的第三部分包括一MID的一法拉第氏罩部分。可包括一软蚀刻步骤。可添加一阻焊膜施加步骤连同一相关的阻焊膜去除步骤。

相关申请

本申请主张于2016年7月7日提交的美国临时申请号US62/359,365以及于2016年12月16日提交的美国临时申请号US62/435,305的优先权，这两个临时申请的内容全部并入本文。

背景技术

模塑互连器件(“MID”)是三维制造零件，其通常包括塑料构件以及电子电路迹线。创建一塑料基板(substrate)或基座(housing)且将电气电路和设备(devices)镀覆、分层(layered)或植入在塑料基板上。MID通常比常规制造部件的零件少，这节省了空间和重量。MID的应用包括移动电话、自动取款机、汽车的方向盘构件、RFID构件、照明设备、医疗设备以及许多其他的消费和/或商业产品。

目前制造MID的工艺包括双射成型(two-shot molding)、激光直接成型技术(LDS)、显微集成加工技术(MIPTEC)以及一激光加成技术(laser developed additivetechnology)。这些制造工艺各在本领域中已经公知了一段时间，但是各具有其自己的缺点，使得许多人群认为对制造MID的进一步改进将是有益的。

双射成型涉及使用两个分离的塑料零件，通常是一个能镀覆的和一个不能镀覆的。能镀覆的零件形成电路，而不能镀覆的零件完成机械功能并完成成型(molding)。两个零件融接(fuse)在一起且通过使用化学镀(electroless plating)创建电路。能镀覆的塑料被金属化，而不能镀覆的塑料保持不导电。

LDS技术涉及注塑成型(injection molding)步骤(使用任意各种介电热塑性材料，包括聚酰胺、聚碳酸酯以及液晶聚合物)、激光活化(activation)热塑性材料、然后进行金属化(化学镀)。激光将一布线图案刻蚀到零件上并准备将其金属化。使用LDS时，仅需要单种(single)热塑性材料，从而使成型步骤成为单射工艺(one-shot process)，且与双射成型工艺相比通常是优选的。

由松下公司提供的MIPTEC技术涉及一成型阶段、一电路形成阶段、一镀覆阶段以及一切割阶段。

成型阶段包括使用一热塑性树脂(诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA))注塑成型所需的形状。

电路形成阶段包括两个步骤，即：(1)金属化；以及(2)图案化。在基底(base)金属化工艺(铜预镀，copper-strike)中形成薄铜膜。然后使用一激光去除铜并勾勒(outline)出电路图案，其中激光的波长和照射时间(exposure time)被优化以实现铜的去除但不损坏基板。

镀覆阶段包括两个或三个步骤，即：(1)电解铜镀覆；(2)可选的软蚀刻(softetching)；以及(3)电解镍镀覆和金镀覆。首先，电镀覆铜以形成电路图案。然后，如果需要，应用软蚀刻以去除电路形成阶段中未被激光去除的不必要的铜预镀。最后，将镍和金镀覆在电解镀覆的铜上，形成电路图案以有助防止氧化和腐蚀。

然后，一可选的切割阶段包括将片材(sheet)切成多个独立的MID。

因此，像LDS技术一样，MIPTEC技术只有一单射成型工艺，而且还可以提供能精细图案化和安装裸芯片的MID。