[发明专利]陶瓷电路基板及半导体模块有效

专利信息
申请号: 201780042696.6 申请日: 2017-07-14
公开(公告)号: CN109417057B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 那波隆之;加藤宽正;矢野圭一 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;C04B37/02;H01L23/15;H01L23/36;H05K1/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 路基 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种陶瓷电路基板,其具备:

厚度为1.0mm以下的陶瓷基板,所述陶瓷基板具有第1面和第2面,所述第1面包含第1区域和第2区域;

第1金属板,所述第1金属板与所述第1区域接合;和

第2金属板,所述第2金属板与所述第2面接合,

所述第1面沿着第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸,

沿着所述第1面的沿所述第1方向延伸的第1边所测定的所述第2区域的第1波纹度曲线具有1个以下的极值,

沿着所述第1面的沿所述第2方向延伸的第2边所测定的所述第2区域的第2波纹度曲线具有2个~3个极值,

所述第1波纹度曲线及所述第2波纹度曲线中的至少一者的最大值与最小值之差为10μm以上。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,

所述第1波纹度曲线为大致圆弧形状,

所述第2波纹度曲线为大致M字形状或大致S字形状。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者的厚度为0.6mm以上。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,所述陶瓷基板的厚度相对于所述第1金属板及所述第2金属板中的最厚金属板的厚度之比为1.5以下。

5.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,所述第1边的长度为所述第2边的长度的1.25倍以上。

6.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,所述陶瓷基板是厚度为0.33mm以下的氮化硅基板。

7.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者介由接合层而与所述陶瓷基板接合。

8.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其中,

所述第1波纹度曲线为大致圆弧形状,

所述第2波纹度曲线为大致M字形状或大致S字形状,

所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者的厚度为0.6mm以上,

所述陶瓷基板是厚度为0.33mm以下的氮化硅基板。

9.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板,其进一步具备与所述第1金属板接合的厚度为0.2mm以上的管脚。

10.根据权利要求9所述的陶瓷电路基板,其中,所述第1波纹度曲线及所述第2波纹度曲线中的至少一者的最大值与最小值之差为40μm以下。

11.一种半导体模块,其具备:

权利要求9所述的陶瓷电路基板、

设置于所述第1金属板之上的半导体器件、和

设置于所述第2金属板之上的散热构件。

12.根据权利要求11所述的半导体模块,其中,

所述第1波纹度曲线为大致圆弧形状,

所述第2波纹度曲线为大致M字形状或大致S字形状,

所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者的厚度为0.6mm以上,

所述陶瓷基板是厚度为0.33mm以下的氮化硅基板。

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