[发明专利]陶瓷电路基板及半导体模块

权利要求书

1.一种陶瓷电路基板，其具备：

厚度为1.0mm以下的陶瓷基板，所述陶瓷基板具有第1面和第2面，所述第1面包含第1区域和第2区域；

第1金属板，所述第1金属板与所述第1区域接合；和

第2金属板，所述第2金属板与所述第2面接合，

所述第1面沿着第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸，

沿着所述第1面的沿所述第1方向延伸的第1边所测定的所述第2区域的第1波纹度曲线具有1个以下的极值，

沿着所述第1面的沿所述第2方向延伸的第2边所测定的所述第2区域的第2波纹度曲线具有2个～3个极值，

所述第1波纹度曲线及所述第2波纹度曲线中的至少一者的最大值与最小值之差为10μm以上。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，

所述第1波纹度曲线为大致圆弧形状，

所述第2波纹度曲线为大致M字形状或大致S字形状。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者的厚度为0.6mm以上。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，所述陶瓷基板的厚度相对于所述第1金属板及所述第2金属板中的最厚金属板的厚度之比为1.5以下。

5.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，所述第1边的长度为所述第2边的长度的1.25倍以上。

6.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，所述陶瓷基板是厚度为0.33mm以下的氮化硅基板。

7.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者介由接合层而与所述陶瓷基板接合。

8.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，

所述第1波纹度曲线为大致圆弧形状，

所述第2波纹度曲线为大致M字形状或大致S字形状，

所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者的厚度为0.6mm以上，

所述陶瓷基板是厚度为0.33mm以下的氮化硅基板。

9.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板，其进一步具备与所述第1金属板接合的厚度为0.2mm以上的管脚。

10.根据权利要求9所述的陶瓷电路基板，其中，所述第1波纹度曲线及所述第2波纹度曲线中的至少一者的最大值与最小值之差为40μm以下。

11.一种半导体模块，其具备：

权利要求9所述的陶瓷电路基板、

设置于所述第1金属板之上的半导体器件、和

设置于所述第2金属板之上的散热构件。

12.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，

所述第1波纹度曲线为大致圆弧形状，

所述第2波纹度曲线为大致M字形状或大致S字形状，

所述第1金属板及所述第2金属板中的至少一者的厚度为0.6mm以上，

所述陶瓷基板是厚度为0.33mm以下的氮化硅基板。