[发明专利]陶瓷电路基板及半导体模块

说明书

一种陶瓷电路基板，其具备：厚度为1.0mm以下的陶瓷基板，所述陶瓷基板具有第1面和第2面，第1面包含第1区域和第2区域；第1金属板，所述第1金属板与第1区域接合；和第2金属板，所述第2金属板与第2面接合。沿着第1面的第1边所测定的第2区域的第1波纹度曲线具有1个以下的极值。沿着第1面的第2边所测定的第2区域的第2波纹度曲线具有2个～3个极值。

技术领域

实施方式涉及陶瓷电路基板及半导体模块。

背景技术

近年来，伴随着产业设备的高性能化，其中搭载的功率模块的高输出化正在进展。伴随于此，半导体器件的高输出化在发展。半导体器件的动作保证温度例如为125℃～150℃。预测今后动作保证温度会上升至175℃以上。

伴随着半导体器件的动作保证温度的上升，要求陶瓷电路基板具有高热循环测试(TCT)特性。在TCT中，以低温→室温→高温→室温作为1个循环，测定陶瓷电路基板的耐久性。

公开了在钎料突出部没有空隙的陶瓷电路基板。就具有氮化硅基板的陶瓷电路基板而言，显示出具有5000个循环的耐久性。通过消除钎料突出部的空隙，能够改善TCT特性。然而，预测伴随着半导体器件的高性能化而动作保证温度会达到175℃以上。

另一方面，为了伴随着半导体器件的高性能化而增加通电容量(载流量)，正在研究使用大的外部端子。已知使以往的外部端子的接合部的厚度为3mm以上。

外部端子有引线框、引脚等各种形状。为了增加通电容量，不使用接合线(bondingwire)那样的细线、而使用比较厚的引线框是有效的。然而，如果使用厚的引线框，则陶瓷电路基板有可能会发生大弯曲。如果陶瓷电路基板弯曲，则在安装到散热构件中时容易产生安装不良。另外，在对具有管脚(引线端子)的陶瓷电路基板进行高温状态的温度为175℃的TCT时，难以得到良好的特性。这是由于：引线框越厚，则对陶瓷电路基板施加的应力越高。因此，要求即使将厚的引线框与端子接合也不会弯曲、且具有良好的TCT特性的陶瓷电路基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/034075号

专利文献2：日本特开2004-134703号公报

发明内容

实施方式的陶瓷电路基板具备：厚度为1.0mm以下的陶瓷基板，所述陶瓷基板具有第1面和第2面，第1面包含第1区域和第2区域；第1金属板，所述第1金属板与第1区域接合；和第2金属板，所述第2金属板与第2面接合。沿着第1面的第1边所测定的第2区域的第1波纹度曲线具有1个以下的极值。沿着第1面的第2边所测定的第2区域的第2波纹度曲线具有2个～3个极值。

附图说明

图1是表示陶瓷电路基板的一个例子的俯视图。

图2是表示陶瓷电路基板的另一个例子的侧面图。

图3是表示波纹度曲线的一个例子的图。

图4是表示波纹度曲线的另一个例子的图。

图5是表示波纹度曲线的又一个例子的图。

图6是表示金属板的配置结构的一个例子的图。

图7是表示带管脚的陶瓷电路基板的一个例子的侧面图。

图8是表示半导体模块的一个例子的侧面图。

图9是表示金属板侧面和接合层的形状的一个例子的图。

具体实施方式