[发明专利]气相工艺用再热捕集装置

说明书

气相工艺用再热捕集装置具备：容器，其在沿着轴的轴向上延伸并划分出室；流入路径和排气路径，它们分别与所述室连通，并在所述轴向上相互分离地配置；以及加热器，其在所述流入路径与所述排气路径之间加热所述室。

技术领域

本公开涉及用于在气相工艺中对排气进行再加热来捕集固相的装置。

背景技术

出于制造复合材料、形成涂层的目的，使用各种化学气相反应法。例如，出于由碳、碳化硅那样的无机物纤维制造纤维强化复合材料的目的，尝试使用化学气相渗透(CVI)法。另外，出于金属或者无机物的表面处理的目的，正在广泛使用化学蒸镀(CVD)法。

这些工艺的排气包含未反应的原料气体、各种副产物。例如，在对甲基三氯硅烷(SiCH₃Cl₃)进行热分解而使碳化硅(SiC)析出的工艺中，排气包含甲基三氯硅烷、氯化氢、氢气这些物质。它们中的几个若直接排放到大气中，则很有可能会导致不好的结果，因此，通常情况下，使用适当的洗涤器处理后再向外部排出。

已知在一部分工艺中，处理前的排气中的成分在排气系统中生成二次附着物。例如，专利文献1、2报告了由气相的氯硅烷生成固体的氯硅烷聚合物并附着于机器，且公开了从机器将其去除的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-13965号公报

专利文献2：日本特开2016-13966号公报

发明内容

如上述所述，如果固相在排气系统中逐渐堆积，则其成为针对气流的显著的阻力，有损排气效率。就应该在减压下进行的工艺而言，通常，通过原料气体的供给量与真空泵的排气量的平衡来控制压力，因此如果排气效率变动，则压力的控制产生障碍。在严重的情况下，不得不频繁地停止工艺来去除附着物，这使工艺效率显著降低。另外，有时也具有如上述的氯硅烷聚合物那样的在与大气接触时引起不好的反应的附着物，去除下来的附着物的后处理存在困难。

以下公开的装置是为了同时解决上述问题而改良得到的。

根据一方案，气相工艺用再热捕集装置具备：容器，其在沿着轴的轴向上延伸并划分出室；流入路径和排气路径，它们分别与上述室连通，并在上述轴向上相互分离地配置；以及加热器，其在上述流入路径与上述排气路径之间加热上述室。

优选的是，气相工艺用再热捕集装置还具备：挡板构造体，其具备一个以上的挡板，在上述轴向上能够移动，且在上述室内能够使上述挡板的至少一个位于上述流入路径与上述排气路径之间。更优选的是，一个以上的上述挡板由绕上述轴绘制螺旋的曲面板、或者从上述轴沿径向展开的多个板构成。另外，更优选的是，上述挡板构造体还具有支撑体，上述支撑体在上述轴向上能够移动，且由在上述室内沿上述轴向延伸的棒、多棱柱或者圆筒体构成，一个以上的上述挡板是相互独立的多个板，且以与上述支撑体一起移动的方式分别支撑于上述支撑体。进一步优选的是，以上述室包含反应室、待机室以及躲避室的方式上述容器被赋予尺寸，其中，上述反应室被上述加热器加热，上述待机室及躲避室分别与上述反应室连通，并以夹着上述反应室的方式从上述反应室在上述轴向上向外方分别延长，上述挡板构造体遍及上述待机室、上述反应室以及上述躲避室的整体能够移动。或者，优选的是，上述流入路径及上述排气路径配置成沿相对于上述轴非平行的朝向与上述室连通。

发明效果

通过加热，将未反应的原料气体或副产物形成安全的固相，捕集于容器，另外能够长时间连续地进行捕集。

附图说明

图1是化学气相工艺装置的示意性的块图。

图2是化学气相工艺用的再热捕集装置的示意性的纵向剖视图。

图3A是挡板构造体的构成单元中的挡板的俯视图。