[发明专利]加热接合用片材、及带有切割带的加热接合用片材有效
| 申请号： | 201780043403.6 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN109478519B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 本田哲士;菅生悠树;下田麻由 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B22F3/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热 接合 用片材 带有 切割 | ||
【权利要求书】：
1.一种加热接合用片材，其特征在于，其具有：通过加热而成为烧结层的烧结前层、和密合层，
所述烧结前层包含金属微粒和热分解性粘结剂，
所述密合层包含金属微粒和热分解性粘结剂，
所述密合层中的金属微粒的量比所述烧结前层中的金属微粒的量少，
所述烧结前层中所含的金属微粒的含量相对于烧结前层整体为30～70体积％的范围内，
所述密合层中所含的金属微粒的含量相对于密合层整体为30体积％以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的加热接合用片材，其特征在于，
所述烧结前层的厚度为5～100μm的范围内，
所述密合层的厚度为2～20μm的范围内。
3.一种带有切割带的加热接合用片材，其特征在于，
其具有：切割带、和权利要求1或2所述的加热接合用片材，
所述加热接合用片材以所述切割带与所述烧结前层接触的方式层叠于所述切割带上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
