[发明专利]加热接合用片材、及带有切割带的加热接合用片材

说明书

一种加热接合用片材，其具有：通过加热而成为烧结层的烧结前层、和密合层。

技术领域

本发明涉及加热接合用片材和带有切割带的加热接合用片材。

背景技术

在半导体装置的制造中将半导体元件粘接在金属引线框等被粘物上的方法(所谓芯片接合法)由以往的金-硅共晶转变为利用焊料、树脂糊剂的方法。目前，有时使用导电性的树脂糊剂。

近些年，进行电力的控制、供给的功率半导体装置的普及变得显著。功率半导体装置中时常流动电流，因此发热量大。因此，可用于功率半导体装置的导电性的粘接剂理想的是具有高的散热性和低的电阻率。

功率半导体装置要求以低损耗来高速工作。以往，功率半导体装置使用IGBT(绝缘栅双极晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等使用了Si的半导体。近年来，开发了使用了SiC、GaN等半导体的装置，预想今后会得以扩大使用。

使用了SiC、GaN的半导体具有带隙大、介质击穿电场高等特征，使低损耗、高速工作、高温工作为可能。高温工作对于热环境严酷的汽车、小型电力转换设备等是优点。热环境严酷的用途的半导体装置假定在250℃左右的高温工作，现有的作为接合/粘接材料的焊料、导电性粘接剂的情况会出现热特性、可靠性问题。

因此，以往，提出了由孔隙率为15～50体积％、包含银和/或铜、碳成分为1.5质量％以下的多孔片材形成的芯片接合片材(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/060346号

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1的芯片接合片材的碳成分为1.5质量％以下。因此，专利文献1的芯片接合片材存在片材制作时的操作性低的问题。具体而言，专利文献1中，制作含有大量金属成分的糊剂状组合物后，暂时涂布于玻璃板上并加热至200℃制成固化膜，进而将其剥离而以芯片接合片材形式得到。

另外，专利文献1的芯片接合片材的碳成分少，因此在烧结前的阶段的密合性低。因此，具有在烧结前的阶段与接合对象物之间难以暂时固定的问题。

另一方面，存在如下问题：若想要使加热接合用片材中含有大量有机成分来提高片材制作时的操作性、烧结前的临时粘接时的密合性，则烧结后的层会变脆。

本发明是鉴于前述问题而作成的，其目的在于，提供对接合对象物的烧结前的密合性高、并且可使烧结后的接合牢固的加热接合用片材、及具有该加热接合用片材的带有切割带的加热接合用片材。

用于解决问题的方案

本申请发明人等为了解决前述现有的问题而对加热接合用片材进行了研究。其结果发现，通过采用下述的构成，对接合对象物的烧结前的密合性高、并且能使烧结后的接合牢固，从而完成了本发明。

即，本发明的加热接合用片材的特征在于，其具有：通过加热而成为烧结层的烧结前层、和密合层。

根据前述构成，具有烧结前层和密合层。因此，将接合对象物(例如晶圆)贴附于密合层时，能够将接合对象物牢固地固定于烧结前的加热接合用片材。另外，由于具有密合层，因此可以不考虑关于烧结前层的与接合对象物的烧结前的密合性。其结果，烧结前层可以采用在烧结后成为牢固的烧结层的组成。综上，根据本发明的加热接合用片材，对接合对象物的烧结前的密合性高、并且可使烧结后的接合牢固。