[发明专利]气体供给装置和气体供给方法

权利要求书

1.一种气体供给方法，将由装在存储容器内的液体化合物气化而成的气体化合物经由气体化合物供给配管供给到目标场所，其中，

测定所述存储容器内存在的液体化合物的温度，并基于所述测定温度将所述存储容器冷却，而将所述存储容器内的液体化合物的温度控制在设定温度范围内，

所述设定温度范围是比所述气体化合物供给配管的周围环境的温度低1～10℃的范围。

2.如权利要求1所述的气体供给方法，具有下述的初始运转工序：

通过冷却所述存储容器，将所述存储容器内的液体化合物的温度控制在比所述气体化合物供给配管的周围环境的温度低1～10℃的范围，然后将所述存储容器内的所述气体化合物经由所述气体化合物供给配管供给到目标场所。

3.如权利要求1或2所述的气体供给方法，具有下述的稳定运转工序：

将所述存储容器内的所述气体化合物经由所述气体化合物供给配管供给到目标场所，并且将因为所述液体化合物的气化而消耗的热能补充到所述存储容器内。

4.如权利要求1所述的气体供给方法，所述设定温度范围的上限值为5～40℃的范围内的特定值，所述设定温度范围的下限值为5～40℃的范围内的特定值，在所述存储容器内的气压下的所述液体化合物的沸点高于所述上限值，在所述存储容器内的气压下的所述液体化合物的熔点低于所述下限值。

5.如权利要求1或2所述的气体供给方法，

测定所述存储容器内存在的气体化合物的压力，

以使所述存储容器内存在的气体化合物的压力是在设定在与所述气体化合物供给配管的周围环境的温度相同温度的情况下的所述液体化合物的饱和蒸气压以下的方式控制对所述液体化合物进行的热的施予或导出，由此将所述液体化合物的测定温度控制在设定温度范围内。

6.如权利要求1或2所述的气体供给方法，目标场所是CVD装置或蚀刻装置。

7.如权利要求1所述的气体供给方法，所述液体化合物的室温即25℃下的饱和蒸气压为0.1KPa以上且200KPa以下。