[发明专利]气体供给装置和气体供给方法

说明书

本发明提供一种气体供给装置，用于将由液体化合物气化而成的气体化合物供给到目标场所，具有存储容器、气体化合物供给配管和温度控制装置，所述存储容器能够容纳所述液体化合物，所述气体化合物供给配管的一端与所述存储容器连接，另一端能够配置在所述目标场所，所述温度控制装置用于将所述存储容器内的所述气体化合物或液体化合物的温度控制在所述气体化合物供给配管的周围环境的温度以下。

技术领域

本发明涉及用于将由液体化合物气化而成的气体化合物供给到目标场所的气体供给装置和气体供给方法。

背景技术

在使用化学蒸镀(CVD)装置制造薄膜之际，将原料以气体形式供给CVD装置。此外，在使用蚀刻装置蚀刻薄膜等之际，将蚀刻剂以气体形式供给蚀刻装置。

在这些原料、蚀刻剂是液体的情况，将该液体气化后供给CVD装置、蚀刻装置等。像这样，作为将液体气化后供给各种装置的技术，已经知道各种形式的。

例如日本专利文献1中记载了CVD装置的原料供给装置，其将液相状态的原料气化后供给沉积·合成装置，在原料容器的下游侧配置真空发生装置，设置有从真空发生装置的内部向真空发生装置的下游侧的配管导入载气的气体导入手段。

专利文献2中记载了，向密封进入液体有机金属化合物的容器送入载气，将液体有机金属化合物与载气一起供给的装置。

专利文献3中记载了，将原料加热使之气化后供给气体流量控制部，通过该气体流量控制部控制流量，在没有同伴气体伴随的情况下向半导体制造装置供给的气化供给方法。

此外，使用六氟苯作为蚀刻气体也是公知的(专利文献4、5)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2003-268551号公报

专利文献2:日本特开平7-161638号公报

专利文献3:日本特开2003-332327号公报

专利文献4:日本特公平1-60938号公报

专利文献5:日本特开2008-172184号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1那样将原料加热使之气化的情况，在将气化了的原料气体供给CVD装置之际，存在在输送配管内原料气体被冷却而发生凝聚，将配管堵塞的问题。因此，在专利文献1中，为了防止原料附着在配管内部，在输送配管敷设管线加热器，但这样需要加热器的设置费用、运转费用，而且有时不能防止凝聚。

专利文献2那样的使载气在原料液体中鼓泡的情况，存在原料气体的供给量不稳定的问题。

专利文献3那样的将原料容器使用加热器等加热的情况，与专利文献1同样在将气化了的原料气体供给半导体制造装置之际，存在输送配管内原料气体冷却凝聚、配管被堵塞的问题。

本发明鉴于上述问题而完成，提供不论在配管上是否设置加热器等凝聚防止手段，即使不使用载气，也能够将液体化合物在配管内不凝聚的情况下进行供给的气体供给装置和气体供给方法。

解决课题的手段

本发明人进行了深入研究，结果发现通过将由存储容器内的液体化合物或液体化合物气化而成的气体化合物的温度控制在气体化合物供给配管的周围环境的温度以下，能够解决上述课题。

即、本发明涉及以下的[1]～[21]。

[1].一种气体供给装置，用于将由液体化合物气化而成的气体化合物供给到目标场所，具有存储容器、气体化合物供给配管和温度控制装置，

所述存储容器能够容纳所述液体化合物，