[发明专利]从含C4的料流中除去链烷烃

权利要求书

1.一种1-丁烯生产工艺，包括：

将含C₄的料流引入到链烷烃去除工艺中以形成富含烯烃的料流，其中所述链烷烃去除工艺包括以下步骤：

（a）使用包含有机腈的溶剂的萃取蒸馏；和

（b）任选地，使所述含C₄的料流通过半透膜；以及

其中在萃取蒸馏之前用水稀释所述溶剂，所述水的量足以提供包含1 wt.%-15 wt.%的水的溶剂混合物；以及

将存在于所述富含烯烃的料流中的至少一部分2-丁烯异构化为1-丁烯以形成包含至少80 wt.%的1-丁烯的异构化产物料流，

其中所述将存在于所述富含烯烃的料流中的至少一部分2-丁烯异构化为1-丁烯在包含钾促进的α铝催化剂的异构化催化剂的存在下进行，并且

所述含C₄的料流包含20 wt.%-90 wt.%的烯烃和20 wt.%-90 wt.%的链烷烃。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述含C₄的料流包含萃余物-1。

3.根据权利要求1所述的工艺，其中所述含C₄的料流包含异丁烯、1-丁烯、2-丁烯、正丁烷和异丁烷。

4.根据权利要求1所述的工艺，其中所述含C₄的料流包含20 wt.%-70 wt.%的烯烃和30wt.%-80 wt.%的链烷烃。

5.根据权利要求1所述的工艺，其中所述溶剂包括乙腈。

6.根据权利要求1所述的工艺，其中在萃取蒸馏之前用水稀释所述溶剂，所述水的量足以提供包含2 wt.%-10 wt.%的水的溶剂混合物。

7.根据权利要求1所述的工艺，其中所述链烷烃去除工艺包括使所述含C₄的料流通过半透膜，所述半透膜包含30-60 wt.%的选自银、铜及其组合的金属和与所述金属螯合的多糖膜。

8.根据权利要求1所述的工艺，其中所述富含烯烃的料流包含少于5 wt.%的链烷烃。

9.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括在异构化之前分离存在于所述富含烯烃的料流中的1-丁烯。

10.根据权利要求1所述的工艺，其中所述异构化产物料流包含至少95 wt.%的1-丁烯。

11.根据权利要求1所述的工艺，其中所述将存在于所述富含烯烃的料流中的至少一部分所述2-丁烯异构化为1-丁烯在异构化条件下进行，所述异构化条件包括至少350°C的温度、至少10 hr^-1的重时空速和75 磅/平方英寸-125 磅/平方英寸的压力。

12.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括在异构化之前分离存在于所述富含烯烃的料流中的异丁烯。

13.根据权利要求12所述的工艺，其中所述分离异丁烯包括使所述富含烯烃的料流与甲醇在离子交换催化剂存在下接触。