[发明专利]从含C4的料流中除去链烷烃

说明书

本公开涉及用于去除链烷烃的工艺。所述工艺通常包括提供包含异丁烯、1‑丁烯、2‑丁烯、正丁烷和异丁烷的含C₄的料流，将所述含C₄的料流引入链烷烃去除工艺中以形成富含烯烃的料流，其中所述链烷烃去除工艺选自：使用包含有机腈的溶剂的萃取蒸馏，使所述含C₄的料流通过半透膜及其组合；以及从链烷烃去除工艺中回收富含烯烃的料流，其中富含烯烃的料流包括小于5wt.％的链烷烃。

相关申请的交叉引用

本申请是在专利合作条约下提交的，该专利合作条约要求2016年7 月28日提交的美国临时申请第62/367,914号的优先权权益，该临时申请的全部内容在此引入作为参考。

背景技术

本公开总体涉及从含C₄的料流中除去链烷烃的工艺。本文所述的具体实施方案涉及1-丁烯生产工艺。

该部分介绍了来自本领域的信息，该信息可以与这里描述的和/或下面要求保护的技术的一些方面相关或提供上下文。该信息是有助于更好地理解这里所公开的信息的背景。这是“相关”技术的讨论。这种技术决不意味着它也是“现有”技术。相关技术可以是或可以不是现有技术。该讨论将在这方面进行阅读，而不是作为对现有技术的认可。

蒸汽裂化器粗C₄料流包含饱和物(例如正丁烷、异丁烷)、烯烃(1- 丁烯、2-丁烯和异丁烯)和二烯烃(主要是丁二烯)的混合物。在许多聚乙烯制剂中，1-丁烯是有价值的共聚单体。然而，来自粗C₄料流的组分不能通过常规蒸馏方便地分离。

本发明涉及解决或至少减少上述问题中的一个或全部。

发明内容

本公开的各种实施方案包括1-丁烯生产工艺。所述工艺通常包括将含 C₄的料流引入链烷烃去除工艺中以形成富含烯烃的料流，其中所述链烷烃去除工艺选自：(a)使用包含有机腈的溶剂的萃取蒸馏；(b)使所述含C₄的料流通过半透膜；以及(c)它们的组合；以及将存在于富含烯烃的料流中的至少一部分2-丁烯异构化为1-丁烯，以形成包括至少80wt.％的1-丁烯，包括至少95wt.％的1-丁烯的异构化产物料流。

一个或多个实施方案包括前述段落的工艺，其中所述含C₄的料流包括萃余物-1。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中含C₄的料流包括异丁烯、1-丁烯、2-丁烯、正丁烷和异丁烷。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中含C₄的料流包括 1-丁烯、2-丁烯、正丁烷和异丁烷。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中含C₄的料流包括链烷烃和烯烃。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中含C₄的料流包括 40wt.％-70wt.％的烯烃和30wt.％-85wt.％的链烷烃。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中溶剂包括乙腈。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中所述溶剂的特征在于C₄相对于溶剂的相对挥发性为至少1.70。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中在萃取蒸馏之前用水稀释溶剂。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中用足以提供包含 1wt.％-15wt.％水的溶剂混合物的量的水稀释溶剂。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中半透膜包括与选自银、铜及其组合的金属螯合的多糖膜。

一个或多个实施方案包括任何前述段落的工艺，其中半透膜与30 wt.％-60wt.％金属螯合。