[发明专利]密封用丙烯酸类组合物、片材、层叠片、固化物、半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

密封用丙烯酸类组合物含有：丙烯酸类化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚树脂、无机填充材料、和热自由基聚合引发剂。

技术领域

本发明涉及密封用丙烯酸类组合物、片材、层叠片、固化物、半导体装置及半导体装置的制造方法，详细而言涉及对于通过使用了片材的先供给方式的底部填充(underfilling)将基材与半导体芯片之间的间隙密封而言适合的密封用丙烯酸类组合物、片材、及层叠片、该密封用丙烯酸类组合物的固化物、具备包含该固化物的密封材料的半导体装置、以及具备该密封材料的半导体装置的制造方法。

背景技术

将倒装芯片型的半导体芯片以倒装的方式安装在基材上的情况下，广泛采用了底部填充技术。作为底部填充技术，有将半导体芯片安装于基材后，在基材与半导体芯片之间的间隙填充树脂组合物，由此将该间隙密封的方法。

随着凸块电极的窄间距化，作为底部填充技术，先供给方式引起了关注。在该先供给方式中，准备例如具备导体布线的基材、具备凸块电极的半导体芯片、和在常温下为液态的热固化性的密封用丙烯酸类组合物。在基材上配置密封用丙烯酸类组合物，在基材上的配置有密封用丙烯酸类组合物的位置配置半导体芯片，并且在导体布线上配置凸块电极。在该状态下，对密封用丙烯酸类组合物及凸块电极进行加热，由此使密封用丙烯酸类组合物固化而形成密封材料，并且将凸块电极和导体布线电连接(参照专利文献1)。

这样的先供给方式中，能够同时进行半导体芯片向基材的安装、和半导体芯片与基材之间的间隙的密封。而且，即使凸块电极间的间距狭窄，也不易在半导体芯片与基材之间的间隙发生密封材料的未填充。

另外，对于先供给方式的底部填充技术，已知不仅有直接使用在常温下为液态的组合物的技术(称为非导电性浆料工艺(Non-Conductive Paste Process)，也称为NCPProcess)，还有使用使组合物干燥或半固化而得到的片材的技术(称为非导电性膜工艺(Non-Conductive Film Process)，也称为NCF Process)(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/035871号

专利文献2：日本特开2011-140617号公报

发明内容

本发明的一个方式的密封用丙烯酸类组合物含有：丙烯酸类化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚树脂、无机填充材料、和热自由基聚合引发剂。密封用丙烯酸类组合物优选还含有氮氧化合物(二ト口キシド化合物)。取代基优选具有碳-碳双键。取代基优选具有下述式(1)所示的结构。

式(1)中，R为氢或烷基。

本发明的一个方式的片材为上述密封用丙烯酸类组合物的干燥物或半固化物。片材优选具有200Pa·s以下的最低熔融粘度。

本发明的一个方式的层叠片具备：上述片材、和支撑上述片材的支撑片。

本发明的一个方式的固化物是使上述密封用丙烯酸类组合物或上述片材热固化而得到的。固化物优选具有170℃以上的玻璃化转变温度。

本发明的一个方式的半导体装置具备：基材、以倒装的方式安装于基材的半导体芯片、和将基材与半导体芯片之间的间隙密封的密封材料，密封材料包含上述固化物。

本发明的一个方式的半导体装置的制造方法包括以下的步骤。在具备凸块电极的半导体晶片的具有凸块电极的面重叠上述片材。将半导体晶片连同片材一起切断，由此制作具备从半导体晶片切出的半导体芯片、和从片材切出的单片的部件。在具备导体布线的基材的具有所述导体布线的面重叠单片，由此依次层叠基材、单片及半导体芯片。对单片进行加热，由此使单片熔融，然后使其固化来制作密封材料，并且将凸块电极和导体布线电连接。