[发明专利]硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆在审
| 申请号： | 201780048352.6 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109716486A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 桥本大辅;田尻知朗;又川敏;中岛亮;卫藤义博 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B27/06;B28D5/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;傅永霄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅锭 切割 固定磨粒 硅晶圆 线材 表面固定 检出限 裸线 磨粒 推压 线锯 送入 污染 制造 | ||
1.一种硅锭的切割方法，其为使至少一根在裸线的表面固定了多个磨粒的固定磨粒线材运行并且将具有超过300mm的直径的硅锭推压送入所述固定磨粒线材，以对所述硅锭进行切割的方法，该方法的特征在于，
所述硅锭的切割是在30小时以下的切割时间内进行的。
2.根据权利要求1所述的硅锭的切割方法，其中，
使用镍层将所述磨粒固定在所述裸线的表面。
3.根据权利要求1或2所述的硅锭的切割方法，其中，
根据所述规定的切割时间及所述磨粒的粒径，设定所述固定磨粒线材的平均线速以使通过所述硅锭的切割所得到的硅晶圆的平坦度成为规定值以下。
4.根据权利要求3所述的硅锭的切割方法，其中，
将所述固定磨粒线材的平均线速设为Ym/分钟、将所述多个磨粒的平均粒径设为Xμm，以满足下述式A：
Y≥-79.2×X+1979 A。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅锭的切割方法，其中，
所述多个磨粒的平均粒径为5μm以上且15μm以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的硅锭的切割方法，其中，
所述规定的切割时间为15小时以上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的硅锭的切割方法，其中，
所述直径为450mm以上。
8.一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，
用规定方法培育硅锭之后，利用权利要求1至7中任一项所述的硅锭的切割方法切割所述硅锭，以得到多片硅晶圆。
9.根据权利要求8所述的硅晶圆的制造方法，其中，
所述规定方法为提拉法。
10.一种硅晶圆，其特征在于，
该硅晶圆具有超过300mm的直径，且镍浓度低于检出限。
11.根据权利要求10所述的硅晶圆，其中，
TTV值为20μm以下。
12.根据权利要求10或11所述的硅晶圆，其中，
所述直径为450mm以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
