[发明专利]硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆在审
申请号: | 201780048352.6 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN109716486A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 桥本大辅;田尻知朗;又川敏;中岛亮;卫藤义博 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B27/06;B28D5/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;傅永霄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅锭 切割 固定磨粒 硅晶圆 线材 表面固定 检出限 裸线 磨粒 推压 线锯 送入 污染 制造 | ||
本发明提出一种方法,在使用固定磨粒线锯切割具有超过300mm的直径的硅锭时,能够将镍引起的污染抑制为低于检出限。一种硅锭的切割方法,其为使至少一根在裸线的表面固定了多个磨粒的固定磨粒线材运行并且将具有超过300mm的直径的硅锭推压送入上述固定磨粒线材,以对上述硅锭进行切割的方法,该方法的特征在于,上述硅锭的切割是在30小时以下的切割时间内进行的。
技术领域
本发明涉及一种硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆。
背景技术
线锯是相对于多根辊以一定间隔将线材螺旋状地卷绕而形成线材列,一边供给浆料一边使线材运行,并将硅锭等的工件按压到线材列上,对工件进行切片加工的切割装置。利用线锯,能够从工件同时切出多个晶圆,因此被广泛用于对硅锭进行切片加工以制造硅晶圆的工序中。
图1是一般的线锯的主要部分的概略图。该图所示的线锯10包括进行线材20的抽出或卷取的线材抽出/卷取机构(未图示)、隔着规定间隔平行配置的主辊30、将冷却液供给到主辊30的喷嘴40及将浆料供给到线材20的喷嘴50。在主辊30的表面以一定间隔形成有多个槽,将线材20卷绕在这些槽上,由此形成线材列。在线材列的上方,保持工件W且将工件W按压到线材列的线材上的工件保持部60配设为能够通过升降机构(未图示)上下运行。
通过线材抽出/卷取机构使线材20运行,并且一边将浆料从喷嘴50供给到运行的线材20,一边利用升降机构使工件保持部60在保持工件W的状态下下降,将工件W推压送入线材列的线材20上,由此对工件W进行切片加工。另外,加工时,主辊30通过由喷嘴40供给的冷却液而被冷却。
如上述的线锯大致分为游离磨粒线锯和固定磨粒线锯,但在直径为300mm以下的硅锭的切片加工中,通常使用游离磨粒线锯。游离磨粒线锯中,一边将含有磨粒的浆料连续供给至线材,一边使线材运行。而且,用通过线材的运行而被送入工件加工部的浆料的磨削作用来切割工件。如上所述,通过使用游离磨粒线锯,能够一次对大量的晶圆进行切片加工,与使用内周刃磨石的现有的切片加工工序相比,能够大幅提高生产率。
近年来,晶圆越来越大口径化,已制造出具有超过300mm的直径(例如450mm)的硅锭。但是,使用游离磨粒线锯切割这种大口径的硅锭时,会产生因使用浆料而引发的问题。例如,由于通过切片加工而得到的晶圆上附着有浆料,虽然在后续的清洗工序中会去除浆料,但该浆料的去除操作需要时间。并且,加工时所供给的浆料飞散而附着于线锯装置或其周边的操作场所,去除该附着的浆料的操作也很困难。而且,游离磨粒线锯中,通过包含于浆料的磨粒的磨削作用进行切片加工,因此与现有的使用内周刃磨石的情况相比,加工速度慢。
为了解决上述问题,对于具有超过300mm的直径的硅锭的切割,逐渐转向使用固定磨粒线锯的方向(例如,参考专利文献1)。固定磨粒线锯具备线材,该线材在线材全长上在其表面固定附着了磨粒。即,固定磨粒线锯中,通过固定附着于表面的磨粒的磨削作用而对工件进行切片加工,因此能够使用不含有磨粒的冷却液,能够解决上述游离磨粒线锯所具有的因浆料引发的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-288902号公报。
发明内容
发明所要解决的技术问题
固定磨粒线材是使用镍(Ni)镀层3,将金刚石等的磨粒2通过电沉积固定在钢琴线等的裸线的表面的线材。因此,判断出切割具有超过300mm的直径的硅锭时,存在Ni引起的污染程度在短时间内恶化的情况。
因此,本发明的目的在于提出一种方法,在使用固定磨粒线锯切割具有超过300mm的直径的硅锭时,能够将镍引起的污染抑制为低于检出限。
用于解决技术问题的方案
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造