[发明专利]形成低高度分裂栅存储器单元的方法

权利要求书

1.一种形成存储器器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成导电材料层；

在所述导电材料层上形成绝缘块；

沿着所述绝缘块的侧表面并且在所述导电材料层上形成绝缘间隔物；

蚀刻所述导电材料层以形成所述导电材料的直接地设置在所述绝缘块和所述绝缘间隔物下方的块；

去除所述绝缘间隔物，以使所述导电材料的所述块的顶表面和上边缘的一部分暴露；

形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一部分和第二部分，所述第一部分包裹所述导电材料的所述块的所述暴露的上边缘，所述第二部分设置在所述第一绝缘层的第一部分上，其中所述第一绝缘层的所述第一部分横向地邻近所述导电材料的所述块；

形成导电块，所述导电块具有第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第二绝缘层第二部分和所述第一绝缘层上方，所述第二部分向上延伸并且越过所述导电材料的所述块，其中所述导电块第一部分横向地邻近所述导电材料的所述块并且与之绝缘，并且其中所述导电块沿着所述第二绝缘层的所述第一部分延伸；以及

在所述半导体衬底中形成间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区在这两者之间延伸，其中所述导电材料的所述块设置在所述沟道区和所述源极区的第一部分上方，并且其中所述导电块的所述第一部分设置在所述沟道区的第二部分上方并且通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与之绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述形成所述第二绝缘层之前氧化所述导电材料的所述块的侧表面以形成沿着所述导电材料的所述块的所述侧表面延伸的第三绝缘层，其中所述形成所述第二绝缘层包括形成所述第二绝缘层的沿着所述第三绝缘层延伸的一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电材料的块的所述侧表面面向所述导电块。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述导电块的所述第二部分通过所述第二绝缘层而不是通过所述第一绝缘层也不是通过所述第三绝缘层与所述导电材料的块的所述顶表面的所述部分绝缘；并且

所述导电块的所述第一部分通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层而不是通过所述第三绝缘层与所述衬底绝缘。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述导电块的所述第一部分通过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层而不是通过所述第一绝缘层与所述导电材料的块绝缘。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述导电块的所述第二部分通过所述第二绝缘层而不是通过所述第一绝缘层与所述导电材料的块的所述顶表面的所述部分绝缘；并且

所述导电块的所述第一部分通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述衬底绝缘。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述导电块的所述第一部分与所述衬底分开的所有绝缘层比将所述导电块的所述第二部分与所述导电材料的块的所述顶表面的所述部分分开的所有绝缘层厚。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除所述绝缘间隔物包括减小所述第一绝缘层的所述第一部分的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底中形成间隔开的第二源极区和第二漏极区，其中第二沟道区在这两者之间延伸；

在所述第二沟道区上方形成第二导电块并且使之与所述第二沟道区绝缘；

其中所述第二导电块的顶表面具有相对于所述衬底的表面的高度，所述高度基本上等于所述导电块的顶表面的高度。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底中形成间隔开的第二源极区和第二漏极区，其中第二沟道区在这两者之间延伸；

在所述第二沟道区上方形成第二导电块并且使之与所述第二沟道区绝缘；

其中所述第二导电块的顶表面具有相对于所述衬底的表面的高度，所述高度基本上等于所述绝缘块的顶表面的高度。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底中形成间隔开的第二源极区和第二漏极区，其中第二沟道区在这两者之间延伸；

在所述第二沟道区上方形成第二导电块并且使之与所述第二沟道区绝缘；

其中所述第二导电块的顶表面具有相对于所述衬底的表面的高度，所述高度基本上等于所述绝缘块的顶表面和所述导电块的顶表面的高度。