[发明专利]用于改进的多路复用器性能的多密度MIM电容器有效
申请号: | 201780050522.4 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN109644558B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | N·S·穆达卡特;D·F·伯迪;C·H·芸;左丞杰;古仕群;M·F·维勒兹;金钟海 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/16 | 分类号: | H05K1/16;H01L49/02;H03H7/01;H03H7/46;H05K1/03;H03H1/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔卿虎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改进 多路复用 性能 密度 mim 电容器 | ||
1.一种玻璃上无源器件,包括:
二维螺旋电感器,包括多个互连迹线区段;以及
多个平行板电容器,所述多个平行板电容器中的每个平行板电容器具有在一对导电板之间的电介质层,其中所述多个平行板电容器中的仅一个平行板电容器与所述多个互连迹线区段中的仅一个互连迹线区段重叠,并且所述多个平行板电容器中的其他平行板电容器与所述多个互连迹线区段中的任何互连迹线区段不重叠。
2.根据权利要求1所述的玻璃上无源器件,其中所述多个平行板电容器包括具有不同介电常数的金属绝缘体金属电容器。
3.根据权利要求2所述的玻璃上无源器件,其中所述金属绝缘体金属电容器由不同的电介质材料组成。
4.根据权利要求2所述的玻璃上无源器件,其中所述金属绝缘体金属电容器具有不同的电介质厚度。
5.一种无源器件,包括:
在公共平面中的金属绝缘体金属电容器的集合,所述金属绝缘体金属电容器的集合中的第一金属绝缘体金属电容器具有第一介电常数的第一单层电介质材料,并且所述金属绝缘体金属电容器的集合中的第二金属绝缘体金属电容器具有第二介电常数的第二单层电介质材料,所述第二介电常数不同于所述第一介电常数;以及
二维螺旋电感器,具有与所述金属绝缘体金属电容器的集合中的仅一个金属绝缘体金属电容器重叠的至少一个互连迹线区段。
6.根据权利要求5所述的无源器件,进一步包括具有所述第一单层电介质材料和所述第一介电常数的第三平行板电容器,所述第三平行板电容器与所述第一金属绝缘体金属电容器串联连接。
7.根据权利要求5所述的无源器件,其中所述无源器件是多路复用器的一部分。
8.一种无源器件,包括:
在公共平面中的金属绝缘体金属电容器的集合,第一电容器具有第一电介质层的第一电介质厚度和第一介电常数,并且第二电容器具有第二电介质层的第二电介质厚度,所述第一电介质厚度与所述第二电介质厚度不同,其中所述第一电介质层和所述第二电介质层具有相同的材料;以及
二维螺旋电感器,具有与所述金属绝缘体金属电容器的集合中的仅一个金属绝缘体金属电容器重叠的至少一个互连迹线区段。
9.根据权利要求8所述的无源器件,进一步包括具有所述第一电介质厚度和所述第一介电常数的第三电容器,所述第三电容器与所述第一电容器串联连接。
10.根据权利要求8所述的无源器件,其中所述第一电介质层和所述第二电介质层包括氮化硅、氧化铝和五氧化二钽。
11.根据权利要求8所述的无源器件,其中所述无源器件是多路复用器的一部分。
12.根据权利要求8所述的无源器件,其中所述无源器件是移动设备的一部分。
13.根据权利要求8所述的无源器件,其中所述第一电介质厚度和所述第二电介质厚度的范围包括0.1微米至1微米。
14.一种射频前端模块,包括:
多路复用器,包括:二维螺旋电感器,包括多个互连迹线区段;以及多个平行板电容器,所述多个平行板电容器中的每个平行板电容器具有在一对导电板之间的电介质层,其中所述多个平行板电容器中的仅一个平行板电容器与所述多个互连迹线区段中的仅一个互连迹线区段重叠,并且所述多个平行板电容器中的其他平行板电容器与所述多个互连迹线区段中的任何互连迹线区段不重叠;以及
天线,耦合到所述多路复用器的输出。
15.根据权利要求14所述的射频前端模块,其中所述多个平行板电容器包括具有不同介电常数的金属绝缘体金属电容器。
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