[发明专利]基于面栅的多尺寸焊盘封装

说明书

本公开提供了封装和用于制造封装的方法。封装(701)可以包括晶片级封装(WLP)层，其包括第一和第二WLP触点以及设置在第一和第二WLP触点上的第一和第二导电柱。每个导电柱包括与形成阵列焊盘的WLP触点(750‑759)相对的表面。阵列焊盘具有不同的大小。封装进一步包括在WLP层上方并且至少部分地围绕导电柱的模塑(740)，其中模塑化合物和第一阵列焊盘形成基本上平坦的LGA接触表面，该LGA接触表面被配置成将封装耦合至面栅阵列。

引言

本公开的各方面一般涉及集成电路设备，尤其涉及在面栅阵列(LGA)中布置有阵列焊盘的晶片级封装(WLP)。

传统的WLP可以被安装到印刷电路板(PCB)的表面上以形成集成电路(IC)封装。WLP可以包括例如微处理器。WLP可以包括在阵列中布置的多个WLP触点。PCB可以包括多个PCB触点，这些PCB触点与WLP触点的相应位置互补。焊球可以应用于例如WLP触点，并且焊球可以设置在互补的PCB触点对面。在焊球硬化之后，WLP可以被安装到PCB以形成集成电路封装。

在常规WLP中，可能存在流经每个焊球的最大电流。在一些实现中，最大电流可导致对于去往/来自WLP的电流的电流瓶颈。此外，焊球可导致高级别的电容性耦合。相应地，焊球必须被相隔一定距离放置。焊球还可以增加集成电路封装的高度并降低从WLP到PCB的热量传递。

相应地，需要用于将WLP耦合至PCB的新的布置和方法。

概述

以下概述是仅为了帮助描述本公开的各个方面而提供的综览，并且仅被提供用于解说这些方面而非对其进行限制。

在一个方面，本公开提供了一种封装。该封装可以包括：晶片级封装(WLP)层(其包括第一WLP触点和第二WLP触点)、设置在第一WLP触点上的第一导电柱(第一导电柱包括与形成第一阵列焊盘的第一WLP触点相对的表面)、设置在第二WLP触点上的第二导电柱(第二导电柱包括与形成第二阵列焊盘的第二WLP触点相对的表面，其中第二阵列焊盘具有与第一阵列焊盘不同的大小)、以及WLP层上方并且至少部分地围绕第一导电柱和第二导电柱的模塑(其中模塑化合物、第一阵列焊盘和第二阵列焊盘形成基本上平坦的面栅阵列接触表面，该面栅阵列接触表面被配置成将该封装耦合至面栅阵列)。

在另一方面，本公开提供了一种制造封装的方法。该方法可以包括：提供晶片级封装(WLP)层(其包括第一WLP触点和第二WLP触点)；将第一导电柱设置在第一WLP触点上(第一导电柱包括与形成第一阵列焊盘的第一WLP触点相对的表面)；将第二导电柱设置在第二WLP触点上(第二导电柱包括与形成第二阵列焊盘的第二WLP触点相对的表面，其中第二阵列焊盘具有与第一阵列焊盘不同的大小)；将至少部分地围绕第一导电柱和第二导电柱的模塑设置WLP层上方；以及移除模塑的至少一部分、第一导电柱的至少一部分、第二导电柱的至少一部分、或其任何组合，使得模塑化合物、第一阵列焊盘、和第二阵列焊盘形成基本上平坦的面栅阵列接触表面，该面栅阵列接触表面被配置成将该封装耦合至面栅阵列。

附图简述

对本公开的各方面及其许多伴随优点的更完整领会将因其在参考结合附图考虑的以下详细描述时变得更好理解而易于获得，附图仅出于解说目的被给出而不对本发明构成任何限定，并且其中：

图1一般地解说了用于晶片级封装的常规BGA布置。

图2一般地解说了用于扇出晶片级封装的常规BGA布置。

图3一般地解说了根据本公开的各方面的用于晶片级封装的LGA布置。

图4一般地解说了根据本公开的各方面的用于扇出晶片级封装的LGA布置。

图5一般地解说了常规BGA布置和根据本公开的各方面的LGA布置之间的比较。

图6一般地解说了根据本公开的各方面的LGA布置。