[发明专利]使用双侧硅化的衬底触点

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

前侧触点，被耦合到前侧金属化层；以及

第一背侧触点，被耦合到第一背侧金属化层，所述前侧触点直接耦合到所述第一背侧触点。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧触点位于扩散区域的前侧上。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一背侧触点位于扩散区域的背侧上。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括：第二背侧触点，被耦合到第二背侧金属化层，所述第二背侧触点直接耦合到所述前侧触点。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧触点包括前侧硅化物，并且所述第一背侧触点包括背侧硅化物。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧金属化层和所述第一背侧金属化层彼此直接相对。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述前侧金属化层和所述第一背侧金属化层彼此偏移。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，被集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被并入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话以及便携式计算机中的至少一项中。

9.一种构造集成电路的方法，包括：

制造由牺牲性衬底上的隔离层支撑的器件；

在所述隔离层上沉积前侧接触层；

在所述器件上的前侧电介质层中制造前侧金属化层，所述前侧金属化层被耦合到所述前侧接触层；

将处理衬底接合到所述器件上的所述前侧电介质层；

移除所述牺牲性衬底；

在所述器件的半导体层上沉积背侧接触层，所述背侧接触层与所述前侧接触层接触；以及

在支撑所述隔离层的背侧电介质层中制造背侧金属化层，所述背侧金属化层与所述前侧金属化层远离地被耦合到所述背侧接触层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述背侧接触层包括：

图案化所述半导体层以暴露所述隔离层的预定部分；以及

在经图案化的半导体层内和所述隔离层的所暴露的预定部分上沉积硅化物，以形成所述背侧接触层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中制造所述背侧金属化层包括：

在所述背侧接触层上沉积第一背侧金属化材料，以形成至少一个背侧金属化插塞；

在所述至少一个背侧金属化插塞上沉积第二背侧金属化材料；以及

在所述半导体层和所述背侧金属化层上沉积所述背侧电介质层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中制造所述前侧金属化层包括：

图案化所述前侧电介质层，以暴露所述前侧接触层的预定部分；

在经图案化的前侧电介质层内和所述前侧接触层的所暴露的预定部分上沉积第一前侧金属化材料，以形成至少一个前侧金属化插塞；以及

在所述至少一个前侧金属化插塞上沉积第二前侧金属化材料，以形成所述前侧金属化层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中接合所述处理衬底进一步包括：

在所述前侧电介质层上沉积陷阱富集层；以及

将所述处理衬底接合到所述陷阱富集层。

14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括将所述集成电路集成到RF前端模块中，所述RF前端模块被并入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动电话以及便携式计算机中的至少一项中。