[发明专利]半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201780052747.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109661719B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李启雄;朴浩荣;李泰硕 | 申请（专利权）人： | IPI技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/02;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国大田*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 回流 工序 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜，其特征在于，
包括：
非热塑性聚酰亚胺层；
热塑性聚酰亚胺层，层叠于上述非热塑性聚酰亚胺层上，具有回流工序温度以下的玻璃化转变温度；以及
粘结层，附着于上述热塑性聚酰亚胺层上，
上述热塑性聚酰亚胺层的表面经过羧基改性处理，
上述热塑性聚酰亚胺层使用将具有醚基、酮基以及甲基中一种的芳香二胺与具有醚基、酮基以及甲基中一种的芳香二酐在有机溶剂中合成而制成的聚酰胺酸，
通过在上述热塑性聚酰亚胺层上涂敷添加有氢氧化钾的上述聚酰胺酸，在300～400℃的温度下进行热处理，来对上述热塑性聚酰亚胺层的表面进行羧基改性处理。
2.根据权利要求1所述的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜，其特征在于，上述热塑性聚酰亚胺层具有260℃以下的玻璃化转变温度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜，其特征在于，上述芳香二胺包含3,3'-二甲基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺，上述芳香二酐包含3,3'，4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐。
4.一种半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
步骤(a)，准备非热塑性聚酰亚胺层；
步骤(b)，将具有回流工序温度以下的玻璃化转变温度且表面经过羧基改性处理的热塑性聚酰亚胺层附着在上述非热塑性聚酰亚胺层上；以及
步骤(c)，将粘结层附着在上述热塑性聚酰亚胺层上，
在上述步骤(b)中，将具有醚基、酮基以及甲基中一种的芳香二胺与具有醚基、酮基以及甲基中一种的芳香二酐在有机溶剂中合成来制备聚酰胺酸，从而使得上述热塑性聚酰亚胺层具有260℃以下的玻璃化转变温度，
通过在上述热塑性聚酰亚胺层上涂敷添加有氢氧化钾的上述聚酰胺酸，在300～400℃的温度下进行热处理，来对上述热塑性聚酰亚胺层的表面进行羧基改性处理。
5.根据权利要求4所述的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，上述芳香二胺包含3,3'-二甲基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺，上述芳香二酐包含3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐。
6.根据权利要求4所述的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，相对于100重量份的上述聚酰胺酸，添加0.5～3重量份的上述氢氧化钾。
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