[发明专利]半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法，采用玻璃化转变温度为回流工序温度以下的热塑性聚酰亚胺层，从而可以确保回流工序结束后半导体芯片装拆的简易性。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜及其制备方法，更详细地涉及半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法，即，采用玻璃化转变温度为回流工序温度以下的热塑性聚酰亚胺层，从而可以确保回流工序结束后半导体芯片装拆的简易性。

背景技术

聚酰亚胺薄膜因其具有优秀的机械尺寸稳定性和热尺寸稳定性以及化学稳定性的特性，被广泛应用于电气、电子材料、空间、航空和电信领域。这种聚酰亚胺薄膜多用于因部件的轻薄短小而具有微细图案的柔性电路板材料，例如带式自动键合(Tape AutomatedBonding，TAB)或覆晶薄膜(Chip On Film，COF)等基底膜。

带式自动键合或覆晶薄膜技术为用于密封IC芯片或LSI芯片的技术之一，具体地，是在柔性带上形成导电性图案并将芯片安装密封在柔性带上的技术。经封装的密封元件的大小小且具有可挠性，有利于产品的轻薄短小化。

为了将聚酰亚胺薄膜用作带式自动键合或覆晶薄膜用基底膜，需要具有高尺寸稳定性。

尤其，在进行半导体封装时，为了使半导体芯片与基板电连接，必须经过焊料回流(Reflow)工序，在这种情况下，聚酰亚胺薄膜暴露在约260℃的回流工序温度附近。

此时，现有的聚酰亚胺薄膜具有在基材膜上依次层叠热塑性聚酰亚胺层和粘结层的结构。通常，现有的聚酰亚胺薄膜使用介于基材膜与粘结层之间的热塑性聚酰亚胺层，热塑性聚酰亚胺层的玻璃化转变温度为回流工序温度以上，即约300℃以上，在此情况下，存在回流工序结束后无法轻松装拆半导体芯片的问题。

相关的现有文献有韩国公开专利公报第10-2014-0084095号(2014年07月04日公开)，上述文献记载有回流膜、焊料凸块形成方法、焊料接合的形成方法以及半导体设备。

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法，采用玻璃化转变温度为回流工序温度以下的热塑性聚酰亚胺层，从而可以确保回流工序结束后半导体芯片装拆的简易性。

技术方案

为达成上述目的的本发明实施例的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括：非热塑性聚酰亚胺层；热塑性聚酰亚胺层，层叠于上述非热塑性聚酰亚胺层上，具有回流工序温度以下的玻璃化转变温度；以及粘结层，附着于上述热塑性聚酰亚胺层上，上述热塑性聚酰亚胺层的表面经过羧基改性处理。

为达成上述目的的本发明实施例的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜制备方法，其特征在于，包括：步骤(a)，准备非热塑性聚酰亚胺层；步骤(b)，将具有回流工序温度以下的玻璃化转变温度且表面经过羧基改性处理的热塑性聚酰亚胺层附着在上述非热塑性聚酰亚胺层上；以及步骤(c)，将粘结层附着在上述热塑性聚酰亚胺层上。

有益效果

本发明的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法的热塑性聚酰亚胺层使用将具有醚基、酮基以及甲基中一种的芳香二胺与具有醚基、酮基以及甲基中一种的芳香二酐(aromatic dianhydride)在有机溶剂中合成来制成的聚酰胺酸，从而使得热塑性聚酰亚胺层具有260℃以下的低的玻璃化转变温度。

其结果，本发明的半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法采用玻璃化转变温度为260℃以下的热塑性聚酰亚胺层，因而在回流工序结束后，脱模性得到保证，使得与半导体芯片的装拆可以变得更容易。