[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 201780053159.1 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109661717B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 樋口鲇美;岩崎晃久 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，
所述基板处理方法包括：
致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部且形成有多个空孔的损伤层致密化来转换成致密化层；以及
修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液，使所述修复液浸透至所述致密化层。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述致密化工序包括将所述损伤层转换成与所述损伤层相比所述修复液难以浸透的所述致密化层的工序。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述致密化工序包括将所述低介电常数覆膜的表层部中与所述损伤层相邻的非损伤层转换成所述致密化层的工序。
4.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述致密化工序包括通过压缩所述损伤层而使所述多个空孔缩小，将所述损伤层转换成所述致密化层的工序。
5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述致密化工序包括致密化药剂供给工序，在所述致密化药剂供给工序中，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于将所述低介电常数覆膜的表层部转换成所述致密化层的致密化药剂。
6.如权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还包括：
清洗工序，在所述致密化药剂供给工序之前，向所述低介电常数覆膜的表面供给清洗液，从而清洗所述低介电常数覆膜的表面。
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